亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1819-1822,共4页刘必慰 陈书明 梁斌 刘征 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(批准号:20079998015)~~
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器...
关键词：单粒子瞬态 脉冲注入 辐射效应 
温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1407-1411,共5页梁斌 陈书明 刘必慰 
武器装备预研基金资助项目(批准号:9140A08040507KG01)~~
利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温度从-55℃升高到125℃时,DSET脉冲宽度约增加了58.8%.
关键词：混合模拟 DSET 超深亚微米 辐射 
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1443-1447,共5页鲍立 庄奕琪 马晓华 包军林 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276028和60676053)~~
研究了SMIC90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(randomtele-graph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道...
关键词：RTS 幅度 深亚微米 MOS 
适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1320-1324,共5页沈珊瑚 史峥 谢春蕾 严晓浪 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90207002)~~
提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图...
关键词：光刻建模 版图轮廓 圆极化采样 遗传算法 光学邻近校正 
用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1134-1138,共5页冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z360);中国科学院(批准号:Y2005027);上海市科委(批准号:05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助项目~~
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有...
关键词：相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性 
高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声
《Journal of Semiconductors》2007年第4期576-581,共6页鲍立 庄奕琪 包军林 李伟华 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276028;60676053)~~
在深入研究SMIC90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模...
关键词：RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 
华南理工大学微电子研究所
《Journal of Semiconductors》2006年第12期F0004-F0004,共1页
华理工大学微电子研究所建于2002年，研究所得到华工半导体专业杰出校友刘志宏博士任首席执行官的原美国思略科技公司（Celestry Design Technology,Inc.）捐赠的集成电路与器件建模、模拟和物理分析软件一批，拥有基于深亚微米工艺技...
关键词：华南理工大学 电子研究所 TECHNOLOGY 深亚微米工艺 电路与器件 首席执行官 物理分析 芯片设计 
超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1686-1689,共4页杨媛 高勇 余宁梅 
西安应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514)~~
分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到...
关键词：超深亚微米 门延迟 动态功耗 漏电流功耗 
华东师范大学微电子电路与系统研究所简介
《Journal of Semiconductors》2006年第9期F0003-F0003,共1页
华东师范大学微电子电路与系统研究所成立于2000年11月。研究所下设四个研究室．包括：专用集成电路设计、集成微机电系统（MEMS）、超深亚微米器件与工艺模拟、SoC系统集成及应用系统开发。主要进行专用集成电路设计、IP核设计、新型...
关键词：华东师范大学 微机电系统 微电子电路 用集成电路设计 应用系统开发 深亚微米器件 
利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1426-1430,共5页鲍立 包军林 庄奕琪 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276028)~~
强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0·18...
关键词：RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 可靠性 
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