亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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亚微米局域空心光束的产生及其在单原子囚禁与冷却中的应用理论研究被引量：2
《物理学报》2016年第11期94-103,共10页任瑞敏 尹亚玲 王志章 郭超修 印建平 
国家自然科学基金(批准号:11274114)资助的课题~~
提出了一种采用单模光纤、环形二元相位板和微透镜组成的光束整形系统产生亚微米局域空心光束的方案.根据瑞利-索莫菲衍射积分公式,数值计算了微透镜焦平面附近的场分布,详细研究了空心光束的暗斑尺寸与单模光纤模场半径和微透镜焦距的...
关键词：亚微米 局域空心光束 单原子 强度梯度冷却 
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应被引量：4
《物理学报》2016年第7期250-255,共6页郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 
中国科学院西部之光项目(批准号:XBBS201219)资助的课题~~
对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损...
关键词：总剂量辐射效应 超深亚微米 金属氧化物半导体场效应晶体管 静态随机存储器 
稀土硼化物LaxCe1-xB6亚微米粉的制备及光吸收研究被引量：7
《物理学报》2015年第9期445-449,共5页包黎红 朝洛蒙 伟伟 特古斯 
国家自然科学基金(批准号:51302129);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(批准号:20130902);内蒙古师范大学高层次人才科研启动经费项目(批准号:2013YJRC017)资助的课题~~
以稀土氧化物La2O3和CeO2为稀土源,以NaBH4为硼源在真空环境中通过固相反应成功制备出了分散性好的单相三元LaxCe1xB6亚微米粉.系统研究了掺杂元素La对CeB6物相,微观结构及光吸收性能的影响.实验结果表明,La元素的掺杂没有改变CeB6的物...
关键词：稀土六硼化物 纳米粉末 光吸收 
纳米TiO_2颗粒/亚微米球多层结构薄膜内电荷传输性能研究
《物理学报》2015年第1期290-296,共7页姜玲 张昌能 丁勇 莫立娥 黄阳 胡林华 戴松元 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00700);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA050527);国家自然科学基金(批准号:61204075;21173227和21173228)资助课题~~
本文主要利用Ti O2亚微米球较强的光散射特性设计了纳米Ti O2颗粒/亚微米球多层结构光阳极,并借助强度调制光电流谱(intensity-modulated photocurrent spectroscopy)、电化学阻抗谱(electrochemical impedance spectroscopy)和入射单...
关键词：亚微米球 光散射 染料敏化 太阳电池 
深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究被引量：2
《物理学报》2014年第22期258-265,共8页王信 陆妩 吴雪 马武英 崔江维 刘默寒 姜柯 
模拟集成电路国家重点实验室(NLAIC)基金项目(批准号:9140C090401120C09036)资助的课题~~
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致N...
关键词：总剂量效应 N沟道金属氧化物场效应晶体管 寄生双极晶体管 Bandgap基准电压源 
基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究被引量：5
《物理学报》2013年第4期424-430,共7页吴晓鹏 杨银堂 高海霞 董刚 柴常春 
国防预研究基金(批准号:9140A23060111);中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002);陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题~~
在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所...
关键词：栅接地n型金属氧化物半导体器件 静电放电 衬底电阻模型 
改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响
《物理学报》2012年第17期450-457,共8页宋坤 柴常春 杨银堂 贾护军 陈斌 马振洋 
国家杰出青年基金(批准号:60725415);国家部委预研项目(批准号:51308030201)资助的课题~~
基于器件物理分析方法,结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型,分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响.通过与传统栅结构器件特性的对比表明,异质...
关键词：碳化硅 肖特基栅场效应晶体管 异质栅 短沟道效应 
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
《物理学报》2012年第5期92-96,共5页胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的...
关键词：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 
沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响被引量：5
《物理学报》2012年第2期347-353,共7页崔江维 余学峰 任迪远 卢健 
本文对不同沟道宽长比的NMOSFET进行了辐射与热载流子应力的试验研究,电参数测量数据表明:虽然两种损伤的原理具有相似之处,但总剂量辐射与热载流子的损伤表现形式及对沟道宽长比的依赖关系均不同.辐射损伤的最大特点是关态泄漏电流增加...
关键词：深亚微米 总剂量辐射 热载流子效应 
超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟被引量：7
《物理学报》2011年第5期538-544,共7页何宝平 丁李利 姚志斌 肖志刚 黄绍燕 王祖军 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:61354030101)资助的课题~~
本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起,并且能够...
关键词：总剂量 超陡倒掺杂 Halo掺杂 辐射效应 
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