ALGAINP

作品数：115被引量：162H指数：6
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Wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector
《Journal of Semiconductors》2015年第2期106-110,共5页左致远 夏伟 王钢 徐现刚 
Project supported by the Post Doctoral Innovation Fund of Shandong Province(No.201303002);the Shandong Province Young and MiddleAged Scientists Research Awards Fund(No.BS2013DX007);the the National Basic Research Program of China(No.6131550102)
We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes （LEDs） to improve the light extraction efficiency by using a photo-assisted chemical etched ...
关键词：pyramidally patterned reflector light emitting diodes wafer-bonding light extraction efficiency 
AlGaInP-Si glue bonded high performance light emitting diodes被引量：1
《Chinese Physics B》2011年第8期354-357,共4页陈依新 沈光地 郭伟玲 高志远 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A121);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604900)
We propose a new method of using conductive glue to agglutinate GaAs based A1CaInP light emitting diodes （LEDs） onto silicon substrate, and the absorbing GaAs layer is subsequently removed by grinding and selective ...
关键词：glue agglutinated AlGaInP LEDs Si substrate luminous intensity 
Efficiency-enhanced AlGaInP Light-Emitting Diodes with Thin Window Layers and Coupled Distributed Bragg Reflectors
《Chinese Physics Letters》2011年第6期305-307,共3页CHEN Yi-Xin SHEN Guang-Di ZHU Yan-Xu GUO Wei-Ling LI Jian-Jun 
by the National High-Technology Research and Development Program of China under Grant No 2006AA03A121;the National Basic Research Program of China under Grant No 2006CB604902.
A new structure of high-brightness light-emitting diodes(LED)is experimentally demonstrated.The thin window layer is composed of a 300-nm-thick indium-tin-oxide layer and a 500-nm-thick GaP layer for both current spre...
关键词：EFFICIENCY THICK REFLECTIVITY 
AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系被引量：7
《物理学报》2011年第8期619-624,共6页陈依新 沈光地 高志远 郭伟玲 张光沉 韩军 朱彦旭 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题~~
目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效...
关键词：复合电流扩展层 复合分布式布拉格反射层 出光效率 结温 
Internal quantum efficiency drop induced by the heat generation inside of light emitting diodes (LEDs)被引量：3
《Chinese Physics B》2011年第1期562-565,共4页陈依新 沈光地 郭伟玲 徐晨 李建军 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2006AA03A121);the National Basic Research Program of China(Grant No.2006CB604900)
The reasons for low output power of AlGalnP Light Emitting Diodes （LEDs） have been analysed. LEDs with AlGaInP material have high internal but low external quantum efficiency and much heat generated inside especiall...
关键词：AlGaInP light emitting diodes internal quantum efficiency HEAT light power 
表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究被引量：4
《物理学报》2010年第11期8083-8087,共5页陈依新 郑婉华 陈微 陈良惠 汤益丹 沈光地 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121;2008AA03Z402);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902;2006CB921705);北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题~~
近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光...
关键词：AlGaInP系LED 光子晶体 光提取效率 光强 
AlGaInP thin-film LED with omni-directionally reflector and ITO transparent conducting n-type contact
《Chinese Physics B》2007年第11期3498-3501,共4页张剑铭 邹德恕 徐晨 郭伟玲 朱彦旭 梁庭 达小丽 李建军 沈光地 
In this paper a novel A1GalnP thin-film light-emitting diode （LED） with omni-directionally reflector （ODR） and transparent conducting indium tin oxide （ITO） n-type contact structure is proposed, and fabrication ...
关键词：ALGAINP thin-film LED Omni-directional reflector ITO 
(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究被引量：3
《激光与红外》2005年第3期181-183,共3页俞波 李建军 盖红星 牛南辉 邢艳辉 邓军 韩军 廉鹏 沈光地 
科技部 973计划项目(NO.G20000683-02)。
对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。...
关键词：金属有机化合物汽相淀积 ALGAINP GAINP 
Ga_xIn_(1-x)P/AlGaInP多量子阱的吸收/反射光谱:多光束干涉的影响与消减被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期651-656,共6页邵军 
上海市自然科学基金 (批准号:0 2ZA14 114 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 6);国家重点基础研究专项经费(批准号 :G0 0 1CB3 0 95 )资助项目~~
通过测量GaAs基GaxIn1-xP/AlGaInP多量子阱的光学吸收谱 ,揭示出采用吸收谱研究该量子阱系统所遭遇的困难 ,并判明吸收谱中高频振荡干扰的来源为多光束干涉 ,从而指出消减振荡干扰的有效途径在于降低量子阱样品的有效厚度 .提出了适用...
关键词：吸收谱 反射谱 多量子阱 多光束干涉 谱导数 
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