ALGAINP

作品数：115被引量：162H指数：6
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AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用
《半导体技术》2018年第7期481-488,522,共9页张启明 张保国 孙强 方亮 王赫 杨盛华 张礼 罗超 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(W2013100006)
AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带...
关键词：ALGAINP 氧污染 金属有机气相外延(MOVPE) 多结太阳电池 晶格失配 半导体直接键合 
红光LED尺寸对ITO电流扩展的影响
《半导体技术》2012年第12期923-927,共5页尹以安 王维韵 王后锦 毛明华 
广东省自然科学基金项目(S2011040005150);广东省省部产学研项目(2011B090400401)
采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层。研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响。结果表明,在电极尺寸一定的情况下,随着芯粒尺寸的变大,ITO电流扩展层对芯...
关键词：氧化铟锡 芯粒尺寸 电流扩展 发光二极管 ALGAINP 
AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
《半导体技术》2012年第9期698-701,共4页朱彦旭 邓琛 徐晨 邢艳辉 
国家自然科学基金(61107026);北京市教委基金(KM20120005004)
利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布...
关键词：发光二极管 粗化 磷化镓 自组装 窗口层 
GaAs基AlGaInP LED的研究和进展被引量：3
《半导体技术》2008年第8期654-657,669,共5页战瑛 牛萍娟 李晓云 王小丽 彭晓磊 
天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01800)
探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一...
关键词：ALGAINP 发光二极管 外量子效率 
AlGaInP橙色发光二极管的研制被引量：2
《半导体技术》1998年第4期10-12,共3页王国宏 马骁宇 王树堂 曹青 彭怀德 李玉璋 陈良惠 
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃ...
关键词：LP-MOCVD 发光二极管 外延生长 
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