FBAR

作品数：104被引量：120H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：高杨董树荣李君儒何婉婧黄继伟更多>>
相关机构：浙江大学中国工程物理研究院电子工程研究所西南科技大学中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划宁波市自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究
《半导体技术》2023年第12期1103-1107,共5页高渊 宋洁晶 李亮 赵洋 吕鑫 冀子武 
薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射 刻蚀 选择比 腐蚀 
6GHz高频率FBAR滤波器
《半导体技术》2022年第7期549-553,共5页李亮 刘青林 付越东 梁东升 韩易 张玉明 
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步,薄膜体声波谐振器(FBAR)也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸(1英寸=2.54 cm)微电子机械系统(MEMS)工艺平台,设计并实现了一款6 GHz FBAR滤波器。通过有限元仿真与Mason模型仿真,确定...
关键词：滤波器 高频 薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射工艺 微电子机械系统(MEMS) 
高抑制或低插损型卫星导航FBAR芯片设计
《半导体技术》2022年第6期488-492,共5页李亮 张仕强 梁东升 韩易 付越东 张玉明 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)硅基微电子机械系统(MEMS)加工工艺,采用薄膜体声波谐振器(FBAR)的结构,设计并加工了中心频率为1268.52 MHz的两款FBAR滤波器芯片,用于满足北斗卫星导航系统中不同位置的信号处理需求。通过改变电路结构和腔...
关键词：滤波器 薄膜体声波谐振器(FBAR) 微电子机械系统(MEMS) 高带外抑制 低插入损耗 
基于异构集成技术的FBAR开关滤波器组芯片被引量：3
《半导体技术》2020年第4期263-267,共5页郭松林 李丽 钱丽勋 王胜福 李宏军 
基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片。使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数更小。薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片与微波单片...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片 微波单片集成电路(MMIC) 开关电路 异构集成 开关滤波器组芯片 
用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器被引量：3
《半导体技术》2019年第12期951-955,共5页李丽 赵益良 李宏军 
研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片 
S波段温度补偿型FBAR窄带滤波器的研制
《半导体技术》2017年第7期493-498,共6页贾英茜 李丽 李宏军 高彦彦 
河北省高等学校科学技术研究青年基金项目(QN2017411)
研制了一种以SiO_2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器。研究了SiO_2层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO_2层时的温度补偿特性进行了仿真。仿真结果表明,当Mo/Al N/Mo的厚度为0.15,1.35和...
关键词：FBAR滤波器 频率温度系数 温度补偿 二氧化硅 窄带 
小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制
《半导体技术》2014年第5期347-351,共5页袁彪 郭文胜 
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键...
关键词：小型化 低相位噪声 单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(FBAR) 压控振荡器(VCO) 
微型FBAR滤波器芯片
《半导体技术》2013年第1期79-79,共1页李丽 
薄膜体声波谐振器（FBAR）技术，是一种基于声体波谐振的新技术。当一交变射频电压施加于两电极之间时，在压电薄膜内形成交变电场。通过压电薄膜的逆压电效应产生的机械形变激发体声波、在两电极问来回反射，当体声波的传播为半波长或...
关键词：声表面波滤波器 FBAR 薄膜体声波谐振器 芯片 微型 压电薄膜 逆压电效应 交变电场 
FBAR用高质量AlN薄膜制备
《半导体技术》2012年第8期627-629,共3页韩东 霍彩红 邓建国 
采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,...
关键词：氮化铝薄膜 磁控反应溅射 RF偏置 薄膜体声波谐振器 (002)向 
Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究被引量：4
《半导体技术》2012年第6期456-459,469,共5页韩东 胡顺欣 冯彬 王胜福 邓建国 许悦 
介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR...
关键词：薄膜体声波谐振器 氮化铝薄膜 空气腔 牺牲层技术 谐振器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部