FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4
《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 闫薇薇 倪涛 高林春 罗家俊 赵发展 韩郑生 
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...
关键词：高温器件 超薄体FDSOI 输出电流 载流子迁移率 
28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2
《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 高林春 罗家俊 韩郑生 
国家自然基金青年基金项目(61804168)。
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...
关键词：高温器件 阈值电压 亚阈值摆幅 超薄体FD-SOI 
FD-SOI技术产业链及市场简析被引量：2
《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页朱雷 
超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...
关键词：SOI技术 产业链 市场 晶体管 设备结构 芯片面积 摩尔定律 生产流程 
FD-SOI的优点及在中国发展的机遇
《微处理机》2015年第2期1-3,6,共4页刘忠立 赵凯 
大多数的电子产品都面临着节能问题,特别是移动电子产品和空间应用,需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅,甚至PD-SOI(部分耗尽绝缘体硅)CMOS电路,在这些方面遇到很大的挑战。FD-SOI,即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当...
关键词：全耗尽绝缘体上硅技术 节能 低功耗 低电压 特征尺寸 缩比 
SOI在射频电路中的应用被引量：2
《微电子学》2005年第1期67-70,共4页骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 
上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示...
关键词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 
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