氧化锌薄膜

作品数：407被引量：1194H指数：17
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钇掺杂氧化锌薄膜的研究进展被引量：1
《半导体技术》2013年第6期407-412,442,共7页王丹丹 王卿璞 王汉斌 江秋怡 武丽伟 李福杰 
国家自然科学基金项目(51042006);山东省科技攻关项目(2009GG10007009);国家基础科学人才培养基金项目(J0730318)
氧化锌材料具有优异的光电特性,易于掺杂,近年来一直是半导体材料领域关注的热点。稀土元素钇掺杂氧化锌(YZO)薄膜属于新兴的研究方向,相关研究还处于初级阶段。评述了国内外关于YZO薄膜的最新研究进展。分析比较了该薄膜材料的主要制...
关键词：钇掺杂 氧化锌 钇掺杂氧化锌薄膜 紫外辐射 透明导电 
磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究被引量：1
《半导体技术》2010年第3期225-227,232,共4页王莉 何俊刚 陈环 刘志宇 傅刚 
采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O2气氛中热处理转变为p型电导。薄...
关键词：氧化锌薄膜 银掺杂 P型半导体 磁控溅射 霍尔测试 
NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性
《半导体技术》2009年第2期119-122,共4页马艳 张宝林 高福斌 张源涛 杜国同 
国家自然科学基金及重点项目资助(60576054,50532080,60877020);国家博士后科学基金资助项目(20060390988)
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及...
关键词：氧化锌薄膜 氨气掺杂 金属有机物化学气相沉积 特性 
氧分压对纳米ZnO薄膜光致发光特性的影响被引量：4
《半导体技术》2009年第2期123-126,共4页薛华 张国恒 张浩 
国家民委科研项目(02XB08);甘肃省自然科学基金(0803RJZA008);西北民族大学校中青年科研基金(X2006-01)
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪及荧光分光光度计研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,当工作气压恒定时,合适的氧分压能够提高ZnO薄膜的结...
关键词：氧化锌薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 光致发光 
在柔性衬底上制备透明导电薄膜ZnO:Zr(英文)被引量：1
《半导体技术》2009年第2期153-157,共5页张化福 类成新 刘汉法 袁玉珍 袁长坤 
采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底...
关键词：掺锆氧化锌薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜 
O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
《半导体技术》2008年第S1期349-352,共4页周茂峰 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目2006CB921803);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有...
关键词：氧化锌薄膜 金属有机物化学气相淀积 氧气流量 锌源 
采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究被引量：2
《半导体技术》1999年第2期16-19,共4页汪建华 袁润章 邬钦崇 任兆杏 喻宪辉 
国家自然科学基金
将磁控管方式溅射用于微波ＥＣＲ等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度Ｃ轴取向的ＺｎＯ薄膜，其膜的沉积速率比普通ＥＣＲ溅射中所得到的速率大得多，并且在Φ１２ｃｍ的膜区域内显示出良好的均匀性。
关键词：磁控管方式 溅射 ECR等离子体 氧化锌薄膜 
氧化锌薄膜的研究与开发进展被引量：5
《半导体技术》1998年第6期8-12,共5页赵谢群 邱向东 林鸿溢 
阐述了ＺｎＯ薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性。分析了薄膜研制、应用与开发现状，展望了产业化发展前景。
关键词：制备技术 应用 氧化锌薄膜 
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