GAAS器件

作品数：37被引量：44H指数：3
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GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期118-121,共4页洪潇 芦忠 来萍 
在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评...
关键词：砷化镓器件 热阻测试 结温 
GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究被引量：3
《半导体技术》2010年第7期695-698,共4页李用兵 田国强 王长河 江西元 
重大基础研究项目973(5130102)
介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损...
关键词：砷化镓 电磁脉冲 毁伤机理 低噪声器件 阈值 
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
《失效分析与预防》2010年第3期187-192,共6页崔晓英 黄云 恩云飞 
国防科技重点实验室基金项目(JS0926270)
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧...
关键词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
《微纳电子技术》2003年第2期39-41,共3页罗四维 王维军 江泽流 刘玉贵 
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩...
关键词：电子束 光学制版技术 GAAS器件 掩模版 干法刻蚀 电荷积累效应 砷化镓 
电信市场驱动GaAs器件快速增长
《世界电子元器件》1998年第3期43-44,共2页孙昉 
长期以来,砷化镓(GaAs)器件的应用一直被局限在狭小的军用和航天市场,但是,随着技术的进展以及与硅器件的价格差距的日益缩小,其市场已在扩大,应用日益向消费类电子产品领域扩展,尤其是无线通信设备市场。因此,电信设备制造商正在利用G...
关键词：砷化镓 半导体器件 电信市场 
氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1
《北京师范大学学报（自然科学版）》1995年第4期456-460,共5页韩卫 罗晏 朱红清 司丽荣 李国辉 
国家"八六三"高科技资助
从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，...
关键词：氢 氧 离子注入 砷化镓器件 
GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展被引量：2
《固体电子学研究与进展》1995年第4期381-390,共10页来萍 
介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。
关键词：可靠性 失效模式 失效机理 砷化镓 半导体 
GaAs器件商业应用前景广阔
《电子材料（机电部）》1993年第9期21-23,16,共4页林金庭 
关键词：商业应用 半导体器件 砷化镓器件 
GaAs器件及其在军用电子系统中的运用
《现代防御技术》1991年第6期1-6,共6页袁起 张祖扬 
本文简要介绍了GaAs器件的特点、发展现状及水平,并对它在军用电子系统中的运用作了初步探讨,笔者试图以此抛砖引玉,引起从事军用电子系统总体设计的工程技术人员高度重视它的发展及运用,以满足日益增长的需求。
关键词：砷化镓 器件 电子系统 军事 
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