云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MMIC

MMIC: 作品数：577被引量：609H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈效建林金庭高学邦陈堂胜吴洪江更多>>; 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学南京电子器件研究所西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>

A 31–45.5 GHz injection-locked frequency divider in 90-nm CMOS technology: 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》2014年第12期1183-1189,共7页Fa-en LIU Zhi-gong WANG Zhi-qun LI Qin LI Lu TANG Ge-liang YANG; Project supported by the National Basic Research Program(973)of China(No.2010CB327404);the National High-Tech R&D Program(863)of China(No.2011AA10305);the National Natural Science Foundation of China(Nos.60901012 and 61106024); We present a 31–45.5 GHz injection-locked frequency divider(ILFD) implemented in a standard 90-nm CMOS process. To reduce parasitic capacitance and increase the operating frequency, an NMOS-only cross-coupled pair is...; 关键词：CMOS Injection-locked frequency divider(ILFD) Millimeter wave Wide locking range Monolithic microwave integrated circuit(MMIC)

GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性: 《物理学报》2012年第17期476-481,共6页王鑫华王建辉庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军刘新宇; 国家重点基础研究计划(973)项目(批准号:2010CB327500)资助的课题~~; 本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析...; 关键词：SIN MIM电容缺陷平均失效前时间

6～18GHz GaAs PHEMT5位MMIC数字移相器被引量：5: 《微波学报》2012年第1期66-69,共4页戴永胜陈曦陈少波徐利李平; 国家重点基础研究发展计划973计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102); 采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图和版图,并在优化过程中采用性能冗余优化策略,保证了产品各项性能优异和高成品率。测试的电性能典型值表...; 关键词：微波单片集成电路数字移相器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

GaAs pHEMT工艺6～18GHz有源倍频器MMIC: 《半导体技术》2011年第8期619-622,共4页吴永辉; 国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200); 基于GaAs pHEMT工艺,设计了一个6～18 GHz宽带有源倍频器MM IC,最终实现了较高的转换增益和谐波抑制特性。芯片内部集成了输入匹配、有源巴伦、对管倍频器和输出功率放大器等电路。外加3.5 V电源电压下的静态电流为80 mA;输入功率为6 dB...; 关键词：GaAs PHEMT 倍频器 MMIC 有源巴伦宽带放大器

5 W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC(英文)被引量：2: 《半导体技术》2010年第3期286-290,共5页冯威戚伟柳现发王绍东; Supported by National Basic Research Program of China (973)(2009CB320200); 通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该...; 关键词：功率放大器 ISM波段 InGaP/GsAs HBT 无线通信 MMIC

1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期668-671,共4页徐静波黎明张海英王文新尹军舰刘亮李潇张健叶甜春; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901);装备预先研究基金(批准号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(批准号:O6SB124004)资助项目~~; 1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performanc...; 关键词：MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC

一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量：2: 《电子器件》2007年第4期1219-1222,共4页朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春; 国家自然科学基金项目:"InP基HEMT复合沟道优化设计与模型建立"(60276021);国家重点基础研究规划资助项目:"新结构InP基HEMT器件和E/D型HEMT电路"(2002CB311901); 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工...; 关键词：功放 HBT MMIC

一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器: 《电子器件》2007年第3期808-810,814,共4页黄华张海英杨浩尹军舰叶甜春; 国家自然科学基金项目资助(60276021);国家重点基础研究规划资助项目(G2002CB311901); 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿...; 关键词：微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管 S波段

A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期823-828,共6页陈立强张健李志强陈普锋张海英; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; A monolithic voltage controlled oscillator （VCO） based on negative resistance principle is presented uti-lizing commercially available InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor （HBT） technology. This VCO is de...; 关键词：VCO MMIC wireless communication InGaP/GaAs HBT

2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器: 《固体电子学研究与进展》2007年第2期203-206,共4页黄华陈晓哲刘亮陈立强张健张海英; 国家自然科学基金资助项目(No60276021);国家重点基础研究规划资料项目(No.G2002CB311901); 报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电...; 关键词：低噪声放大器微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管

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