长波

作品数：1459被引量：3265H指数：22
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p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024红外探测器制备研究
《红外》2024年第11期13-16,共4页王鑫 刘世光 张轶 王丹 宁提 
采用p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向。为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,开展了p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024探测器芯片研究。针对As离子注入激活、长...
关键词：碲镉汞 像元间距 p-on-n As注入 
深低温工作甚长波面阵红外探测器封装技术
《红外》2024年第5期18-22,共5页方志浩 付志凯 王冠 张磊 
基于甚长波红外探测器对低于液氮温度工作环境的需求,提出了一种深低温工作甚长波红外探测器封装技术。通过对杜瓦组件漏热和芯片电学引出结构的优化设计,可控制芯片在30 K低温工作时整个杜瓦组件的静态热耗为0.65 W,最冷端位置的静态...
关键词：超低温 甚长波红外探测器 封装技术 
低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究
《红外》2023年第11期6-12,共7页李景峰 刘世光 宁提 刘铭 王丹 
长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma,ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。...
关键词：长波 碲镉汞 损伤 刻蚀技术 
防辐射长波红外连续变焦光学系统设计
《红外》2023年第2期1-7,共7页吴海清 谈大伟 
深圳市科技计划项目(KQTD20190929173954826);国家自然科学基金项目(U1930116;U206720039;12004331)。
为解决在强辐射环境中使用红外热像仪时由辐射导致其性能退化迅速的技术问题,基于机械正组补偿式连续变焦结构形式,通过在后固定组中引入反射镜来形成折转式光学系统,避免后端探测器直面前方辐射射线。设计了一种工作波段为8~12μm、F数...
关键词：防辐射 非制冷红外 连续变焦系统 光学设计 
长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件研究进展被引量：2
《红外》2022年第4期1-8,共8页郝斐 赵硕 杨海燕 胡易林 
与n-on-p材料相比,p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度,更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。介绍了法国Sofradir公司、美国Raytheon Vision Systems公司以及国内的华北光电技术研究所和昆明物理研究所在长波p-on-n...
关键词：碲镉汞 长波 p-on-n 
10μm间距长波1280×1024碲镉汞探测器研制进展被引量：1
《红外》2022年第2期1-6,共6页祁娇娇 冯晓宇 陈彦冠 宁提 刘世光 孙浩 康键 
随着红外技术的进步,红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展。小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向。通过对10 m像元间距、9 m截止波长、1280×1024阵列规格长波探测器的研究,突破了10 m间距长波像元成结技术...
关键词：小间距 1280×1024 长波 碲镉汞 
3 in长波Ⅱ类超晶格分子束外延工艺优化研究
《红外》2021年第11期1-8,共8页胡雨农 邢伟荣 刘铭 周朋 李震 申晨 
为提升大面阵Ⅱ类超晶格红外探测器的性能、产量和材料质量,对3 in长波InAs/GaSbⅡ类超晶格分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长工艺优化进行了研究。结合反射式高能电子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction,RHE...
关键词：分子束外延 Ⅱ类超晶格 3 in GaSb衬底 
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究
《红外》2021年第5期1-6,共6页温涛 邢伟荣 李海燕 李春领 刘铭 李忠贺 郭喜 亢喆 张智超 陈彦冠 
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 m的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W^(-1),盲元率为...
关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格 长波红外 焦平面阵列 
Ⅱ类超晶格长波红外探测器研究进展被引量：2
《红外》2021年第3期1-5,10,共6页邢伟荣 刘铭 温涛 周朋 胡雨农 
由于具有带隙可调、电子有效质量大、俄歇复合率低等特点,Ⅱ类超晶格在长波红外和甚长波红外探测方面具有独特优势。介绍了长波超晶格探测器制备方面的研究进展,包括能带结构设计、表面缺陷控制、周期结构控制和表面钝化。最后报道了320...
关键词：Ⅱ类超晶格 长波 红外探测器 
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究被引量：1
《红外》2020年第8期15-20,共6页程雨 鲍英豪 肖钰 李春领 亢喆 刘铭 
在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光...
关键词：INAS/GASB 单点金刚石机床切削 表面形貌 机械化学抛光 长波红外探测器 
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