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检索条件:"作者=伍三忠 "
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大角度离子注入机控制系统软件设计
《微细加工技术》2008年第6期1-3,共3页 吴学 
介绍了大角度离子注入机控制系统软件的设计和实现,重点介绍了控制系统的总体设计和系统软件的结构设计、软件的具体实施和系统软件主要模块的功能。
关键词:大角度离子注入机 系统软件 软件模块 软件结构 
离子注入剂量的均匀性检测和校正被引量:7
《微纳电子技术》2005年第10期484-486,共3页王迪平  孙雪平 孙勇 王玮琪 
介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。
关键词:离子注入机 注入剂量 均匀性 
高温外延炉温度控制的设计与应用被引量:1
《中国集成电路》2022年第11期59-62,共4页毛朝斌 唐卓睿  罗骞 
季华实验室自主重大项目(X210241TC210)。
针对碳化硅外延工艺过程中温度控制精度对外延膜厚均匀性影响较大,本文介绍了一种用于感应加热碳化硅高温外延炉及温度控制系统。通过分析碳化硅外延工艺对温度控制的要求,设计了一套温度控制系统。在国产碳化硅外延设备上进行验证,实...
关键词:碳化硅 中频感应加热 温度控制 PID 
一台专用强流氧离子注入机的研制被引量:2
《集成电路应用》2003年第2期66-70,共5页唐景庭  贾京英 郭健辉 刘咸成 
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别...
关键词:S0I材料 SIMOX技术 氧离子注入机 高温靶室 离子源 金属污染 
LC19离子注入机控制方法及主控制器原理分析被引量:3
《微细加工技术》2005年第1期12-16,共5页邱小莎  孙勇 
为了使离子注入机满足生产线工艺的要求,控制系统的设计必须使控制功能完善、控制命令响应迅速、命令执行准确可靠、异常处理迅速有效和整机工作稳定可靠。LC19离子注入机控制系统采用主从集中式控制方法,较好地解决了控制功能复杂与控...
关键词:大角度离子注入机 控制器 异常处理 软件流程 
离子注入装备发展趋势被引量:3
《电子工业专用设备》2006年第11期5-8,74,共5页龚杰洪 张彬庭  
简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。
关键词:离子注入 等效掺杂 大角度注入 低能大束流 
关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究
《集成电路应用》2003年第3期53-55,共3页刘咸成 唐景庭  贾京英 郭建辉 刘求益 
本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。
关键词:注氧机 SOI SIMOX 溅射 电离 粒子污染 半导体材料 
碳化硅离子注入机控制系统优化设计
《中国集成电路》2024年第11期87-91,共5页盛飞龙  梁启恒 仇礼钦 孔倩茵 
为对碳化硅离子注入机控制系统进行优化提升,从离子注入机的原理开始,描述了离子注入机的基本结构组成,并对控制系统的架构设计进行了一定的分析和阐述;接下来详细介绍了碳化硅离子注入机控制系统几个重要部件优化设计,包括加热优化设...
关键词:离子注入机 控制系统 碳化硅 部件 优化设计 
碳化硅外延设备控制系统被引量:1
《自动化与信息工程》2022年第6期41-45,51,共6页盛飞龙 钟新华 王鑫  戴科峰 仇礼钦 
季华实验室基金项目(X210241TC210)。
碳化硅(SiC)作为第代半导体的代表材料,其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等。该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统,设计了软件架构、流程、交互、控制零件等。经反复的工艺运行验证,该系统的最高测...
关键词:碳化硅 外延设备 多总线 模块化 控制系统 
大角度离子注入机控制系统的研制被引量:1
《微细加工技术》2006年第2期16-20,共5页 孙勇 王迪平 
介绍了大角度离子注入机控制系统的功能,重点介绍了系统的总体设计和控制模块的设计、主控计算机与子控制器之间的通讯以及控制系统的软件结构设计等。经实验证明,该控制系统稳定、可靠。
关键词:大角度离子注入机 集散式控制 双端口巡检控制器 子控制器 软件结构 
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