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检索条件:"关键词=分子束外延 "
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Mn3Sn薄膜的磁光特性研究
《首都师范大学学报(自然科学版)》2020年第5期22-26,共5页安志强 王海 
采用超高真空分子外延方法制备了Mn3Sn(0002)取向薄膜.利用旋转磁光法测量了在膜面内不同方向施加磁场时的磁光克尔角,获得其最大磁光克尔角为20 mdeg.通过计算拟合,Mn3Sn薄膜具有单轴单向磁各向异性,磁各向异性能常数(K1)=3.75×10^3...
关键词:Mn3Sn薄膜 磁光克尔角 分子外延 
Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
《Beijing Synchrotron Radiation Facility》2001年第2期187-193,共7页郑文莉 贾全杰 姜晓明 蒋最敏 
用X射线反射方法研究了分子外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性.根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式:在靠近样品...
关键词:同步辐射X射线反射法 薄层异质结构  Ge 半导体材料 表面偏析 分子外延 晶体薄膜生长 
3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究被引量:20
《激光与红外》2011年第5期537-541,共5页周立庆 刘铭 巩锋 董瑞清 折伟林 常米 
报道了采用分子外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化...
关键词:碲化镉 硅基 分子外延 
低温外延生长平整ZnO薄膜被引量:5
《发光学报》2014年第5期-,共6页赵鹏程 张振中 姚斌 李炳辉 王双鹏 姜明明 赵东旭 单崇新 赵海峰 刘雷 申德振 
国家"973"计划(2011CB302002;2011CB302005);国家自然科学基金(11134009;11074248;11104265)资助项目
在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面.本文使用分子外延方法,采用a面蓝宝石为衬底,在450℃下生长了一系列ZnO薄膜样品.在富氧生长的条件下,固定氧流量不变,通过调节锌源温度来改变锌流,...
关键词:ZNO 分子外延 生长温度 平整表面 
双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状被引量:9
《激光与红外》2009年第4期367-371,共5页王成刚 孙浩 李敬国 朱西安 
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
关键词:碲镉汞 红外焦平面阵列 双色探测器 分子外延 台面刻蚀 
高浓度臭氧在分子外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用被引量:2
《金属学报》2008年第6期647-651,共5页张炳森 于晓明 孙霞光 李茂林 张彩碚 祁阳 
国家自然科学基金50572013
利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧.当臭氧浓缩装置...
关键词:臭氧 浓缩装置 Bi系氧化物薄膜 分子外延 
坩埚表面辐射率对分子源炉温度场的影响
《机电工程技术》2023年第5期57-60,158,共5页黄星星 吴进 祝经明 王凤双 侯少毅 卫红 李嘉锋 胡强 
广东省重点领域研发计划项目(2021B0101300001)。
坩埚表面辐射率是影响坩埚性能的关键因素,直接决定了分子外延的成膜质量,而错误的选型设计会降低坩埚性能。对分子源炉内部复杂热场开展了机理研究和数值仿真计算,获得了坩埚表面辐射率对分子源炉温度场的影响规律。研究发现降...
关键词:分子外延 源炉 表面发射率 温度场 仿真分析 
Si基碲镉汞分子外延工艺优化研究被引量:9
《激光与红外》2012年第10期1161-1164,共4页王经纬 巩锋 刘铭 强宇 常米 周立庆 
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下...
关键词:硅基碲镉汞 分子外延 工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层 
Ⅲ—Ⅴ族半导体纳米线的分子外延和器件应用
《现代材料动态》2000年第7期2-3,共2页邓志杰 
关键词:Ⅲ-Ⅴ族半导体 纳米线 分子外延 制备 
分子外延高Mg掺杂GaN的发光特性被引量:2
《发光学报》1999年第2期148-151,共4页宋航 Park S H Kang T W Kim T W 
中国科学院出国人员回国择优支持基金
采用分子外延技术在蓝宝石衬底上制备Mg掺杂的立方相p-GaN,并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究.实验观察到高Mg掺杂GaN中施主受主对发光的反常温度行为.理论分析表明,高Mg掺杂GaN中施主受主对的发光受到...
关键词:光致发光 隧穿效应 分子外延 氮化镓 掺镁 
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