-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
检索条件："关键词=双晶X射线衍射 "
共 条 记 录，以下是1-8

发文量、被引量趋势图

全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
显示条数：
用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
《浙江大学学报（自然科学版）》1998年第2期188-192,共5页张仕国 江鉴 陈立登 袁骏 张民杰 
国家教委资助;浙江大学回国人员启动基金
以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层...
关键词：双晶X射线衍射 液相外延 掺杂 硅 
Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：3
《发光学报》2005年第4期517-520,i0002,共5页胡加辉 朱军山 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 
深圳市科技计划项目(2002-K1-65);广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107)资助项目
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致...
关键词：氮化镓 SI(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射 
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量：1
《中国科学（A辑）》2002年第8期737-742,共6页冯淦 郑新和 朱建军 沈晓明 张宝顺 赵德刚 孙元平 张泽洪 王玉田 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金(批准号:69825107);国家杰出青年基金(批准号:5001161953);NSFC-RGC联合基金(批准号:N-HKU028/00)资助项目
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面...
关键词：形成机制 GAN 横向外延生长 晶面倾斜 双晶X射线衍射 氮化钙 选择性腐蚀 半导体材料 
超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究
《真空科学与技术》1999年第1期61-65,共5页卢焕明 叶志镇 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 
国家自然科学基金;国家教委"跨世纪优秀人才"培养计划资助课题
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,...
关键词：双晶X射线衍射 锗 硅 应变外延层 CVD 超高真空 
As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布
《Journal of Semiconductors》2004年第4期394-399,共6页韩宇 肖鸿飞 高雅君 马德录 
辽宁省教委 ( No.2 0 2 10 0 12 79);沈阳市科委 ( No.10 2 2 0 3 7-1-0 6)资助项目~~
采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ ...
关键词：组合离子注入 双晶X射线衍射 晶格应变 退火 杂质浓度 
快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响
《材料研究学报》2011年第3期259-262,共4页魏榕山 丁晓琴 何明华 
国家自然科学基金61006003;福建省自然科学基金2009J05143资助项目~~
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结...
关键词：无机非金属材料 快速热退火 GE量子点 双晶X射线衍射 拉曼光谱 
组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
《辽宁大学学报（自然科学版）》2004年第1期4-7,共4页韩宇 张宏 姜树森 
沈阳市科委资助项目;编号:1022037-1-06
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并...
关键词：组合离子注入 杂质 浓度分布 损伤分布 双晶x射线衍射 晶格应变 
利用Al_xGa_(1-x)N在Si(111)上生长无裂纹GaN
《电子科技》2014年第1期115-116,120,共3页王振晓 张锴 李涛 王丹丹 韩孟序 
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,...
关键词：MOCVD SI(111) GAN 双晶X射线衍射 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部