国家高技术研究发展计划(2001AA312180)

作品数：9被引量：19H指数：3
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相关作者：谭满清侯识华陈良惠孙永伟赵鼎更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院电子学研究所清华大学华南理工大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《光子学报》《物理学报》更多>>
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数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第11期2011-2014,共4页王小东 吴旭明 王青 曹玉莲 何国荣 谭满清 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312180)~~
通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变型DBR的...
关键词：垂直腔面发射激光器 DBR 反射谱 反射相移 特征矩阵法 
基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量：1
《半导体光电》2006年第5期543-546,共4页侯识华 孙捷 毛容伟 吴旭明 马骁宇 谭满清 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312180)
采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调...
关键词：可调谐滤波器 InP/空气隙 分布布拉格反射镜 FABRY-PEROT 表面微机械技术 
具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析被引量：6
《物理学报》2006年第10期4983-4986,共4页王小东 吴旭明 王青 曹玉莲 何国荣 谭满清 
国家863计划项目(批准号:2001AA312180)资助的课题.~~
应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al0·9Ga0·1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAsDBR的光学特性。建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型,并得到了渐变界面特征矩阵的解析解,通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al0·9Ga0·1AsDBR...
关键词：DBR 反射谱 反射相移 特征矩阵法 
台面尺寸对垂直腔面发射激光器电学特性的影响
《半导体光电》2005年第5期378-381,共4页侯识华 赵鼎 孙永伟 苏艳梅 谭满清 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312180)
采用求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了不同台面大小的台面结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布和有源层中的注入电流密度、载流子浓度及结压降分布。结果表明,台面尺寸对垂直腔面发...
关键词：垂直腔面发射激光器 台面尺寸 电势分布 电学特性 有限差分法 
键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响被引量：1
《光子学报》2005年第4期503-506,共4页侯识华 赵鼎 叶晓军 孙永伟 谭满清 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助课题(No.2001AA312180)
采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布 详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔...
关键词：垂直腔面发射激光器 晶片键合 键合界面阻抗 电学特性 热学特性 有限差分法 
垂直腔面发射激光器的热学特性被引量：7
《Journal of Semiconductors》2005年第4期805-811,共7页侯识华 赵鼎 孙永伟 徐云 谭满清 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312180)~~
通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电流密度小于或等于阈值电流密度时,晶片键合结...
关键词：垂直腔面发射激光器 晶片键合 高温中心 热学特性 有限差分法 
硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1
《半导体光电》2004年第6期477-479,483,共4页孙洋 钱可元 韩彦军 蔡鹏飞 罗毅 雷建都 童爱军 
国家"973"计划项目 (G2 0 0 0 - 0 3 - 660 1 ) ;国家"863"计划项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
　基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。
关键词：硅材料 湿法刻蚀 凸角补偿 微分析芯片 
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：3
《半导体光电》2004年第5期380-383,387,共5页张立江 熊兵 王健 孙长征 钱可元 罗毅 
国家"973"计划资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量...
关键词：减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率 
厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移的影响
《光学与光电技术》2004年第4期31-33,共3页侯识华 赵鼎 孙永伟 杨国华 谭满清 陈良惠 
国家863计划资助(项目编号2001AA312180)
采用光学传输矩阵方法分析了厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移产生的影响。结果表明,反射镜和VCSEL中各层厚度的偏大,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向长波方向移动,而反射镜和VCSEL中各层厚度的偏小,将使反射镜的中心波长...
关键词：厚度偏差 垂直腔面发射激光器 晶片键合 反射谱 反射相移 
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