国家自然科学基金(11074280)

作品数:23被引量:32H指数:3
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相关作者:顾晓峰沈琪王伟印梁海莲秦华更多>>
相关机构:江南大学教育部中国科学院中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关期刊:《微电子学》《计算机工程与应用》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>
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单电子晶体管用于电荷检测的研究被引量:3
《微纳电子技术》2014年第10期617-622,共6页苏丽娜 吕利 李欣幸 秦华 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中国科学院科研装备研制项目(YZ201152);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUDCF12032);江苏省产学研联合创新资金资助项目(BY2013015-19);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);江苏省普通高校研究生创新计划资助项目(CXLX12_0724)
单电子晶体管可用作超灵敏电荷计进行高灵敏电荷检测。首先建立了单电子晶体管电荷检测的电路模型,阐释了其电荷检测机制;然后利用COMSOL和MATLAB软件对检测过程进行了模拟研究,分析了不同电荷量和检测距离时单电子晶体管库仑岛的电势,...
关键词:单电子晶体管(SET) 库仑岛 电荷计 电荷检测 静电耦合 
iOS平台下惯性室内定位系统设计与实现被引量:4
《计算机工程与应用》2014年第15期207-210,239,共5页陈天啸 曾鹏飞 虞致国 王晓涧 顾晓峰 
国家自然科学基金(No.11074280);江苏高校优势学科建设工程及中央高校基本科研业务费专项资金(No.JUSRP211A37;No.JUDCF12027)
针对缺少GPS及其他无线定位网络环境下的三维室内定位需求,提出了一种基于惯性测量的室内定位算法。该算法通过加速度计与陀螺仪的配合,获取设备运动的三维加速度,通过积分得到三维速度与位移。为提高定位成功率与准确性,引入了零速度...
关键词:iOS平台 惯性 室内定位 扩展型卡尔曼滤波器 零速度修正 
Electron-leakage-related low-temperature light emission efficiency behavior in GaN-based blue light-emitting diodes被引量:1
《Journal of Semiconductors》2014年第4期83-86,共4页闫大为 李丽莎 任舰 王福学 杨国锋 肖少庆 顾晓峰 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.11074280);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(No.BK2012110);the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(No.JUSRP51323B);the Chinese Postdoctoral Science Foundation(No.2013M540437);the State Key Laboratory of ASIC and System(No.11KF003);the PAPD of Jiangsu Higher Education Institutions and the Summit of the Six Top Talents Program of Jiangsu Province(No.DZXX-053)
The typical light emission efficiency behaviors of InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) blue light- emitting diodes (LEDs) grown on c-plane sapphire substrates are characterized by pulsed current operation mode in t...
关键词:gallium nitride light-emitting diode emission efficiency electron leakage 
用于RFID读写器的连续/离散混合级联ΣΔ调制器
《微电子学》2013年第6期737-741,共5页沈琪 王伟印 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027;JUDCF12032)
针对RFID读写器功耗受限、信号带宽大的特点,结合连续时间型和离散时间型ΣΔ调制器各自的优点,采用冲激不变法,将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,提出一种4位量化2-1连续/离散混合级联结构的ΣΔ调制器。该结构自带...
关键词:射频识别读写器 连续 离散 ∑△调制器 混合级联 
原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性:
《物理学报》2013年第19期414-419,共6页闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 
国家自然科学基金(批准号:11074280);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053);江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题~~
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发...
关键词:原子层沉积 Al2O3/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性 
短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量:3
《固体电子学研究与进展》2013年第4期323-328,共6页王睿 赵青云 朱兆旻 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF12032);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);江苏高校优势学科建设工程(PAPD)及江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的...
关键词:双栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 短沟道效应 解析模型 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量:2
《物理学报》2013年第15期383-388,共6页任舰 闫大为 顾晓峰 
国家自然科学基金(批准号:11074280);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B;JUDCF13038);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053);江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题~~
本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用...
关键词:ALGAN GAN 高电子迁移率晶体管 漏电流 退化机理 
0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文)被引量:2
《固体电子学研究与进展》2013年第3期284-288,299,共6页柯逸辰 梁海莲 顾晓峰 朱兆旻 董树荣 
国家自然科学基金资助项目(11074280);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);江苏高校优势学科建设工程资助项目和江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发...
关键词:静电放电 双向可控硅 传输线脉冲测试系统 人体模型 
5.8GHz低噪声放大器的设计与优化
《微电子学》2013年第3期312-315,共4页王伟印 赵琳娜 沈琪 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF10031;JUDCF12032);江苏省普通高校研究生创新计划资助项目(CXLX11_0486)
设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器。基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd.Id的方法,以优化功耗。在共栅晶体管处并联正反馈电容,以提升电路增益。对电路的噪声系数、输...
关键词:低噪声放大器 共源共栅 中等反型 
宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计被引量:1
《微电子学》2013年第3期345-349,共5页柯逸辰 顾晓峰 朱科翰 高国平 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027;JUDCF12032);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28A,等效于人体模型5.6kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等...
关键词:低噪声放大器 静电放电 二极管 传输线脉冲测试 人体模型 
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