云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60876004)

国家自然科学基金(60876004): 作品数：11被引量：28H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：曾一平刘超赵杰崔利杰李彦波更多>>; 相关机构：中国科学院更多>>; 相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《光谱学与光谱分析》《物理》更多>>; 相关主题：锑化物分子束外延红外探测器MBE生长ZNTE更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN: 《Journal of Semiconductors》2013年第5期16-19,共4页尹春海刘超陶东言曾一平; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60876004); N-type, p-type and unintentionally-doped GaN were implanted with Yb ions by double energy ion im- plantation and the samples were annealed at 900 ℃. The structural and magnetic properties of the samples have been stu...; 关键词：diluted magnetic semiconductors （DMS） room temperature ferromagnetism ion implantation magnetic anisotropy

Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2: 《真空科学与技术学报》2013年第3期271-276,共6页杨秋旻刘超崔利杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065); Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备...; 关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物叠层太阳能电池单极性半导体掺杂

离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析被引量：3: 《光谱学与光谱分析》2013年第3期699-703,共5页陶东言刘超尹春海曾一平; 国家自然科学基金项目(60876004)资助; 对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670cm-1等波数的Raman峰,其中293cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362cm-1和670cm-1处的Raman峰可能...; 关键词：氮化镓离子注入稀磁半导体 RAMAN光谱

快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1: 《半导体技术》2013年第2期110-113,125,共5页杨秋旻刘超张家奇崔利杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065); 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退...; 关键词：碲化锌快速退火晶体质量表面形貌铟电极

ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2: 《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065); 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...; 关键词：硒化锌 N型掺杂分子束外延 II-VI族化合物半导体

低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善被引量：1: 《半导体技术》2012年第1期37-41,共5页张家奇赵杰刘超崔利杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); 研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcse...; 关键词：碲化锌异质外延低温缓冲层高温缓冲层分子束外延

新型高效太阳能电池研究进展被引量：13: 《物理》2011年第4期233-240,共8页赵杰曾一平; 国家自然科学基金(批准号:60876004)资助项目; 第三代太阳能电池以超高效率、薄膜化、低成本为主要目标,目前发展起来的有多结叠层太阳能电池、中间带太阳能电池、多激子产生太阳能电池、热载流子太阳能电池和热光伏太阳能电池等.文章简要介绍了以上几种新型太阳能电池的工作原理和...; 关键词：太阳能电池多结叠层量子点中间带多激子产生热载流子热光伏

锑化物HEMT器件研究进展: 《功能材料与器件学报》2011年第1期29-35,共7页李彦波刘超张杨曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); 由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器...; 关键词：锑化物半导体高电子迁移率晶体管 HEMT ABCS 研究进展

Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展被引量：3: 《半导体光电》2011年第1期1-5,14,共6页赵杰刘超李彦波曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物...; 关键词：Ⅱ-Ⅵ族镉化物分子束外延太阳电池 X射线探测器红外焦平面阵列

锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：4: 《固体电子学研究与进展》2010年第1期11-17,共7页李彦波刘超张杨赵杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广...; 关键词：第三代红外探测器砷化铟/铟镓锑 Ⅱ类超晶格双色探测器

国家自然科学基金(60876004)