国家自然科学基金(51002052)

作品数：13被引量：52H指数：3
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相关作者：李国强刘玫潭高芳亮管云芳蔡旭升更多>>
相关机构：华南理工大学惠州雷士光电科技有限公司江门市奥伦德光电有限公司西北工业大学更多>>
相关期刊：《材料导报》《半导体技术》《半导体光电》《中国有色金属学报》更多>>
相关主题：GAN薄膜AL基复合材料SIC增强显微结构物相更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
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SiC增强Al基复合材料的制备和性能被引量：1
《半导体光电》2014年第3期440-445,共6页刘玫潭 凌嘉辉 刘家成 洪晓松 李国强 
国家安全重大基础研究(国防"973")项目;国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业专项资金项目(2011A081301010)
采用模压成型和真空压力浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC)。物相和显微结构研究结果表明,此种方法制备的AlSiC复合材料,组织致密且大小两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界...
关键词：AlSiC 显微结构 物相 热膨胀系数 
AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积技术生长的GaN薄膜性能的影响被引量：1
《半导体光电》2014年第1期46-49,84,共5页刘作莲 王文樑 杨为家 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项基金项目(2011A080801018);广东省LED战略专项资金项目(2011A081301010和2011A081301012)
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对外延生长所得GaN薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。测试结果表明:相比直接在...
关键词：GAN薄膜 ALN缓冲层 脉冲激光沉积 高分辨X射线衍射仪 扫描电子显微镜 
不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
《半导体技术》2013年第10期721-728,共8页李国强 管云芳 高芳亮 
国家安全重大基础研究(国防973)资助项目;国家自然科学基金资助项目(51002052)
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决...
关键词：氧化物衬底 LiGaO2 MGAL2O4 LAALO3 GAN薄膜 
造孔剂含量对多孔SiC预制件孔隙率的影响及孔隙率测定方法探究被引量：3
《材料导报》2013年第14期108-112,共5页刘玫潭 蔡旭升 何丽娇 李国强 
国家安全重大基础研究(国防973);国家自然科学基金(51002052);广东省战略新兴产业专项资金(2011A081301010)
采用模压成型法制备了SiC预制件,分别采用阿基米德法、质量体积法和压汞仪法测试了其孔隙率,并对测试结果进行比较分析。结果表明,阿基米德法测试结果偏小,这是因为此方法测量的是孔径较大的气孔的显气孔率;质量体积法与压汞仪法测试结...
关键词：SiC预制件 孔隙率 压汞仪法 质量体积法 阿基米德法 造孔剂 
六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究被引量：1
《半导体光电》2013年第3期374-378,共5页何攀贵 王海燕 乔田 周仕忠 林志霆 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301014,2011A081301012)
以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部...
关键词：LED 图形化衬底 六棱锥 模拟 旋转角 
高性能SiC增强Al基复合材料的显微组织和热性能被引量：38
《中国有色金属学报》2013年第4期1040-1046,共7页刘玫潭 蔡旭升 李国强 
国家安全重大基础研究项目;国家自然科学基金资助项目(51002052);广东省战略新兴产业专项资金资助项目(2011A081301010)
采用模压成型和无压浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC),对其物相和显微结构进行研究。结果表明:用上述方法制备的AlSiC复合材料组织致密,两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界...
关键词：AlSiC 显微结构 物相 界面 热膨胀系数 
蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展被引量：2
《半导体光电》2013年第2期180-185,共6页管云芳 高芳亮 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(2011A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
关键词：氮化铟 单晶薄膜 MOCVD RF-MBE 溅射技术 HVPE 
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
《半导体光电》2013年第2期186-189,263,共5页郝锐 马学进 马昆旺 林志霆 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A081301014)
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响...
关键词：绿光LED INGAN 多量子阱 Si掺杂 量子限制Stark效应 
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
《半导体光电》2013年第1期59-61,65,共4页高芳亮 管云芳 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省战略新兴产业LED专项项目(211A081301012);华南理工大学基本科研业务费重点项目及其滚动项目(2009ZZ0017)
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN...
关键词：氮化铟 氮化 RF-MBE 单晶薄膜 
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计被引量：1
《半导体光电》2013年第1期20-24,共5页郝锐 马学进 马昆旺 周仕忠 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A0813010101)
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文...
关键词：INGAN 绿光LED P型GAN 外延生长 X射线衍射 
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