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国家自然科学基金(69976023): 作品数：10被引量：34H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：康俊勇徐昌发杨银堂肖细凤黄启圣更多>>; 相关机构：厦门大学西安电子科技大学日本东北大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Journal of Chemical Physics》《半导体光电》《红外与毫米波学报》《半导体技术》更多>>; 相关主题：GAN半导体材料4H-SIC碳化硅DX中心更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

In situ Heating and Thermal Effects in Auger Electron Spectroscopy for GaN: 《Chinese Journal of Chemical Physics》2006年第3期200-202,共3页Fu-chun Xu Qi-he Zhang Dan-xia Cen; The author would like to express thanks to Professor Jun-yong Kang and Dr. Duan-jun Cai for their valuable discussions. This work was partly supported by the National Nature Science Foundation of China （No.60206030, No.10134030 and No.69976023） and the Natural Science Found of Xiamen University （No.B200337）.; An in situ heating system was built for the Auger electron spectroscopy to investigate the thermal effect of Auger lines. A GaN sample was studied in this system. The kinetic energy of Ga LMM and MVV Auger lines were ...; 关键词：Ultra-high-vacuum Auger electron spectroscopy Heating system In situ Auger line shape

4H-SiC MESFET的特性研究: 《半导体技术》2002年第8期74-77,共4页徐昌发杨银堂朱磊; 国家自然科学基金(69976023);教育部跨世纪优秀人才基金;国防科技预研基金资助项目; 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密...; 关键词：MESFET 碳化硅场效应器件

4H-SiC MOSFET的温度特性研究被引量：10: 《物理学报》2002年第5期1113-1117,共5页徐昌发杨银堂刘莉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 2 3);教育部跨世纪优秀人才基金;国防科技预研基金资助的课题~~; 对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80; 关键词：4H-SIC MOSFET 碳化硅半导体材料器件结构结构参数

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算被引量：15: 《物理学报》2002年第3期645-648,共4页沈耀文康俊勇; 国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 23)资助的课题~~; 用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的...; 关键词：GAN 杂质能级电子结构氮化镓 C O 碳氧第一性原理计算发光材料

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构被引量：3: 《物理学报》2002年第1期138-142,共5页肖细凤康俊勇; 国家"8 63"计划 (批准号 :715 0 10 0 0 2 2 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 2 3);福建省自然科学基金 (批准号 :A0 0 2 0 0 0 1)资助的课题~~; 采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之...; 关键词：Laplace缺陷谱俘获势垒 DX中心 AlGaAs:Sn 精细结构深能级缺陷锡铝镓砷化合物半导体载流子

AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1: 《红外与毫米波学报》2002年第z1期83-86,共4页肖细凤康俊勇; 国家"863"计划(批准号715-010-0022);国家自然科学基金(批准号69976023);福建省自科学基金(批准号A0020001)以及教育部基金部分资助课题; 在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域...; 关键词：AlGaAs∶Sn 第一原理赝势法类DX中心.

闪锌矿GaN(001)表面的电子结构被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2001年第11期1397-1400,共4页蔡端俊冯夏朱梓忠康俊勇; 国家高技术研究发展计划 ( 86 3-715 -0 10 -0 0 2 2 );国家自然科学基金( 6 9976 0 2 3);福建省自然科学基金( A0 0 2 0 0 1)资助项目~~; 采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ...; 关键词：电子结构 GaN(001) 闪锌矿半导体材料

用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构: 《半导体光电》2001年第5期362-364,共3页余辛詹华瀚康俊勇黄启圣; 国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 2 3) ;福建省自然科学基金资助项目; 用Laplace缺陷谱仪 (LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态 ,发现它们起因于混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较 ,LDS谱呈现出多峰结构。由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的...; 关键词：杂质缺陷深能级 LAPLACE谱

超细SnO_2纳米晶粒带边光吸收的线度效应被引量：2: 《物理学报》2001年第11期2198-2202,共5页康俊勇 S.Tsunekawa A.Kasuya; 国家高技术研究发展计划 (批准号 :715 0 10 0 0 2 2 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 2 3);福建省自然科学基金 (批准号 :A0 0 2 0 0 0 1) ;国家教育部部分基金资助的课题~~; 采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线度 .对其光吸收谱测量发现 ,超细过滤后酸性和碱性溶胶溶液中...; 关键词：超细纳米晶粒透射电子显微镜带边光吸收线度效应 SnO2晶粒超细过滤法

半导体光电子材料中的缺陷: 《厦门大学学报（自然科学版）》2001年第2期267-276,共10页康俊勇黄启圣; "8 6 3计划"!(715- 0 10 - 0 0 2 2 ) ;国家自然科学基金!(6 9976 0 2 3);福建省自然科学基金重点!(A0 0 2 0 0 0 1)资助项目; 介绍近年来在族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .; 关键词：缺陷 Ⅲ氮化物 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体电子材料黄色发光带纳米管穿透位错

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