国家科技重大专项(2008ZX02401)

作品数：8被引量：38H指数：4
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抛光工艺对硅片表面Haze值的影响被引量：3
《半导体技术》2017年第12期918-922,共5页王永涛 赵而敬 尚锐刚 李明飞 鲁进军 张建 蔡丽艳 
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值...
关键词：Haze值 化学机械抛光(CMP) 微粗糙度 抛光液 硅片 
忆阻器材料的研究进展被引量：4
《材料导报》2012年第11期31-35,共5页曲翔 徐文婷 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如...
关键词：忆阻器 薄膜材料 阻变机制 电激励 
晶体生长速度对硅单晶微缺陷影响的数值模拟被引量：3
《半导体技术》2012年第3期206-211,共6页常麟 崔彬 周旗钢 戴小林 吴志强 肖清华 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401);国际科技合作项目(2007DFC50310)
利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal origi...
关键词：直拉硅单晶 晶体生长速度 微缺陷 有限元分析 数值模拟 
高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
《稀有金属》2012年第1期120-123,共4页李宗峰 周旗钢 何自强 冯泉林 杜娟 刘斌 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)资助
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h...
关键词：直拉硅单晶 大直径 空洞型微缺陷 晶体原生粒子缺陷 高温退火 
热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟被引量：13
《人工晶体学报》2012年第1期238-242,252,共6页滕冉 戴小林 徐文婷 肖清华 周旗钢 
科技部国际科技合作项目(2007DFC50310);国家科技重大专项项目(2008ZX02401)
通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使...
关键词：硅单晶 数值模拟 热屏 固液界面 
Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
《稀有金属》2011年第6期909-915,共7页常麟 周旗钢 戴小林 鲁进军 卢立延 
国家科技重大专项(2008ZX02401)项目资助
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大...
关键词：直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟 
大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化被引量：4
《稀有金属》2010年第6期945-949,共5页姜舰 邓树军 戴小林 吴志强 朱秦发 刘冰 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)资助
随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义。以等径阶段PID参数设置为研...
关键词：大直径 直拉 单晶直径 PID参数 
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