国防科技技术预先研究基金(51308040103)

作品数：9被引量：21H指数：3
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相关期刊：《微电子学》《计算机辅助设计与图形学学报》《物理学报》《湖南大学学报（自然科学版）》更多>>
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用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计被引量：2
《湖南大学学报（自然科学版）》2008年第11期49-53,共5页吴笑峰 刘红侠 石立春 周清军 胡仕刚 匡潜玮 
国家自然科学基金资助项目(60206006);国防预研基金资助项目(51308040103);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200701)
提出了一种应用于开关电容流水线模数转换器的CMOS预运放-锁存比较器.该比较器采用UMC混合/射频0.18μm 1P6M P衬底双阱CMOS工艺设计,工作电压为1.8 V.该比较器的灵敏度为0.215 mV,最大失调电压为12 mV,差分输入动态范围为1.8 V,分辨率...
关键词：预运放-锁存比较器 流水线ADC 踢回噪声 分析与设计 
嵌入式SRAM的优化修复方法及应用被引量：3
《计算机辅助设计与图形学学报》2008年第10期1276-1281,共6页周清军 刘红侠 吴笑峰 王江安 胡仕刚 
国家自然科学基金(60206006);国防预研基金(51308040103);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)
为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定...
关键词：高成品率 最佳冗余逻辑 成品率边界因子 低功耗 电源开启或关闭状态 
SRAM的高成品率优化设计技术被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第3期449-454,共6页周清军 刘红侠 吴笑峰 陈炽 
国家自然科学基金资助(60206006);国防预研基金资助(51308040103);西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200701)
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨...
关键词：优化 自我修复静态随机存储器 冗余数据寄存器 成品率 
Optimization and Application of SRAM in 90nm CMOS Technology
《Journal of Semiconductors》2008年第5期883-888,共6页周清军 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701)资助项目~~
This paper presents an optimized SRAM that is repairable and dissipates less power. To improve the yield of SRAMs per wafer,redundancy logic and an E-FUSE box are added to the SRAM and an SR SRAM is set up. In order t...
关键词：OPTIMIZATION LPSR SRAM redundancy logic power on/off states 
An Analytical Model of Drain Current for Ultra-Thin Body and Double-Gate Schottky Source/Drain MOSFETs Accounting for Quantum Effects被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第5期869-874,共6页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 蔡乃琼 王瑾 匡潜玮 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助项目~~
A compact drain current including the variation of barrier heights and carrier quantization in ultrathin-body and double-gate Schottky barrier MOSFETs （UTBDG SBFETs） is developed. In this model, Schrodinger＇s equat...
关键词：Schottky barrier quantum effects the effective mass electron density 
异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...
关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 
高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型被引量：7
《物理学报》2008年第6期3807-3812,共6页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 蔡乃琼 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助的课题~~
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的影响,...
关键词：异质栅 绝缘衬底上的硅 阈值电压 解析模型 
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价被引量：4
《物理学报》2008年第4期2524-2528,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研基金(批准号:51308040103)资助的课题~~
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电...
关键词：超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿 
纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型
《微电子学》2007年第6期838-841,共4页王瑾 刘红侠 栾苏珍 
国家自然科学基金资助项目(60206006);国家教育部新世纪优秀人才项目资助(681231366);国防预研项目资助(51308040103);国家教育部重点项目资助(104172)
针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修...
关键词：SOI MOSFET 量子效应 阈值电压 反型层 
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