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国家自然科学基金(61306113): 作品数：24被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：冯志红吕元杰宋旭波房玉龙张志荣更多>>; 相关机构：专用集成电路与系统国家重点实验室河北半导体研究所河北工业大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 相关期刊：《红外与毫米波学报》《半导体技术》《Chinese Physics B》《Chinese Optics Letters》更多>>; 相关主题：GANNHFETSALGAN/GANFT更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制: 《半导体技术》2018年第10期740-744,786,共6页田秀伟马春雷刘沛韩婷婷宋旭波吕元杰; 国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113); 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为...; 关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度离子注入击穿电压

Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors: 《Chinese Physics B》2017年第9期389-395,共7页刘艳林兆军吕元杰崔鹏付晨韩瑞龙霍宇杨铭; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11174182,11574182,and 61306113);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China(Grant No.20110131110005); The parasitic source resistance（RS） of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors（HFETs） is studied in the temperature range 300–500 K. By using the measured RSand both capacitance–voltage（C–V） an...; 关键词：AlGaN/AlN/Ga N heterostructure field-effect transistors（HFETs） parasitic source resistance polarization Coulomb field scattering

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2017年第1期6-9,34,共5页尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩...; 关键词：InA1N/GaN HFET FT 再生长n+-GaN欧姆接触

高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制: 《半导体技术》2017年第2期103-107,114,共6页邹学锋吕元杰宋旭波郭红雨张志荣; 国家自然科学基金资助项目(61306113); 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEM...; 关键词：ALGAN/GAN 再生长n+GaN 非合金欧姆接触纳米栅电流增益截止频率

基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 《红外与毫米波学报》2016年第6期641-645,共5页吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军; Supported by National Natural Science Foundation of China(61306113); 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准...; 关键词：InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax)

Modified model of gate leakage currents in AlGaN/GaN HEMTs: 《Chinese Physics B》2016年第10期345-349,共5页王元刚冯志红吕元杰谭鑫敦少博房玉龙蔡树军; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61306113); It has been reported that the gate leakage currents are described by the Frenkel-Poole emission(FPE) model,at temperatures higher than 250 K.However,the gate leakage currents of our passivated devices do not accord wi...; 关键词：gate leakage currents FPE model additional leakage current surface traps

基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2016年第5期534-537,568,共5页吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工...; 关键词：ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触

Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells: 《Chinese Optics Letters》2016年第4期73-77,共5页吕海燕吕元杰王强李建飞冯志红徐现刚冀子武; Temperature-dependent photoluminescence （PL） of phase-separated InGaN quantum wells is investigated over a broader excitation power range. With increasing excitation power from 0.5 pW to 50 mW, the In-rich quasi-qua...; 关键词：PHOTOLUMINESCENCE Quantum efficiency Quantum optics Semiconductor quantum dots Temperature distribution

AlN/GaN high electron mobility transistors on sapphire substrates for Ka band applications: 《Journal of Semiconductors》2016年第4期69-72,共4页宋旭波吕元杰顾国栋王元刚谭鑫周幸叶敦少博徐鹏尹甲运魏碧华冯志红蔡树军; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61306113); We report the DC and RF characteristics of AlN/GaN high electron mobility transistors（HEMTs） with the gate length of 100 nm on sapphire substrates. The device exhibits a maximum drain current density of 1.29 A/mm an...; 关键词：AlN/GaN HEMTs small signal large signal power density

70-nm-gated InAlN/GaN HEMTs grown on SiC substrate with f_T/f_(max)>160GHz被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2016年第2期86-89,共4页韩婷婷敦少博吕元杰顾国栋宋旭波王元刚徐鹏冯志红; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61306113); lnA1N/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrate were fabricated and character- ized. Several techniques, consisting of high electron density, 70 nm T-shaped gate, low ohmic contacts and a short...; 关键词：InA1N/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） T-shaped gate current gain cut-off fre-quency （fT） maximum oscillation frequency （fmax）

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