云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60936005)

国家自然科学基金(60936005): 作品数：25被引量：33H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：刘红侠卓青青叶韵梁海浪郝跃更多>>; 相关机构：西安电子科技大学北京大学信息产业部电子第五研究所更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《计算机工程与应用》《Journal of Semiconductors》《Science China(Information Sciences)》更多>>; 相关主题：MOSFETSESDSTRAINED-SITWO-DIMENSIONALTRIGGERING更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程理学更多>>

A novel ESD power supply clamp circuit with double pull-down paths被引量：4: 《Science China(Information Sciences)》2013年第10期172-179,共8页LIU HongXia YANG ZhaoNian LI Li ZHUO QingQing; supported in part by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60976068,60936005);Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China Program(Grant No.708083); Electrostatic-discharge （ESD） protection design is one of the key challenges of advanced CMOS processes. RC-triggered and MOSFET-based power supply ESD clamp circuits have been widely used to ob- tain the desired ES...; 关键词：ESD （electrostatic-discharge） clamp circuit DURATION false triggering power supply noise

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应被引量：2: 《物理学报》2013年第17期380-385,共6页卓青青刘红侠王志; 国家自然科学基金(批准号:61076097,60936005);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~; 本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用...; 关键词：单粒子脉冲电流漏极收集电荷总剂量效应

非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型: 《物理学报》2013年第15期520-526,共7页辛艳辉刘红侠范小娇卓青青; 国家自然科学基金(批准号:60936005;61076097);教育部博士点基金(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂H...; 关键词：非对称Halo 异质栅应变SI 短沟道效应

Low leakage 3×VDD-tolerant ESD detection circuit without deep N-well in a standard 90-nm low-voltage CMOS process被引量：3: 《Science China(Technological Sciences)》2013年第8期2046-2051,共6页YANG ZhaoNian LIU HongXia WANG ShuLong; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61076097,60936005);in part by Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China Program (Grant No. 20110203110012); A new low leakage 3×VDD-tolerant electrostatic discharge(ESD)detection circuit using only low-voltage device without deep N-well is proposed in a standard 90-nm 1.2-V CMOS process.Stacked-transistors technique is ado...; 关键词：detection circuit electrostatic discharge（ESD） leakage current over-stress voltage stacked-transistors

A low leakage power-rail ESD detection circuit with a modified RC network for a 90-nm CMOS process: 《Journal of Semiconductors》2013年第4期116-120,共5页杨兆年刘红侠王树龙; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61076097,60936005);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China Program(No.20110203110012); An electrostatic discharge （ESD） detection circuit with a modified RC network for a 90-nm process clamp circuit is proposed. The leakage current is reduced to 4.6 nA at 25 ℃. Under the ESD event, it injects a 38.7 ...; 关键词：clamp circuit electrostatic discharge leakage current RC network

基于多频测试和神经网络的模拟电路故障诊断被引量：8: 《计算机工程与应用》2013年第5期1-3,7,共4页王承叶韵梁海浪何进; 国家自然科学基金重点项目(No.60936005);深圳市杰青项目(No.JC201005280670A); 多频测试使模拟电路响应的故障状态和正常状态差异最大化,而神经网络具有解决复杂分类问题的能力。结合两者优点,提出一种基于多频测试和神经网络的故障诊断方法:通过灵敏度分析指导多频测试矢量生成,选择最优测试激励;提取各测试节点...; 关键词：多频测试神经网络模拟电路故障诊断测试矢量生成

NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析被引量：4: 《物理学报》2012年第21期491-497,共7页卓青青刘红侠郝跃; 国家自然科学基金(批准号:61076097,60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200807010010)资助的课题~~; 通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒...; 关键词：单粒子瞬态脉冲电荷收集机制注入位置漏极偏压

基于可测性分析的模拟电路多频测试矢量生成: 《微电子学》2012年第5期737-740,共4页王承刘治国叶韵梁海浪何进; 国家自然科学基金资助项目(60936005);深圳市杰出青年项目(JC201005280670A); 提出一种基于可测性分析的模拟电路多频测试矢量自动生成方法。根据待测电路可利用的测试点,进行测试点优选和模糊元器件确定,实现可测性分析;应用灵敏度分析,实现多频测试矢量自动生成。实验结果表明,该方法对模拟电路测试矢量生成非...; 关键词：可测性分析模拟电路多频测试矢量故障诊断

A novel high performance ESD power clamp circuit with a small area: 《Journal of Semiconductors》2012年第9期124-130,共7页杨兆年刘红侠李立卓青青; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60976068,60936005);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China(No.708083); A MOSFET-based electrostatic discharge （ESD） power clamp circuit with only a 10 ns RC time constant for a 0.18-μm process is proposed. A diode-connected NMOSFET is used to maintain a long delay time and save area. ...; 关键词：electrostatic discharge clamp circuit false triggering turn-off mechanism

Process optimization of plasma nitridation SiON for 65 nm node gate dielectrics: 《Science China(Information Sciences)》2011年第12期2673-2679,共7页HE YanDong ZHANG Xing WANG YangYuan; supported by the State Key Fundamental Research Project of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60936005);the Peking University Cultivation Fund(Grant No.PKU-PY2009-011); The gate leakage current and reliability concern become more serious due to the aggressive scaling-down of the gate oxide thickness. Developing advanced gate dielectrics process for mass production is essential in Chi...; 关键词：plasma nitridation post-nitridation annealing gate leakage current NBTI TDDB

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