云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60244001)

国家自然科学基金(60244001): 作品数：15被引量：55H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：罗毅孙长征郝智彪郭文平韩彦军更多>>; 相关机构：清华大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《中国有色金属学报》《Science China(Technological Sciences)》《稀有金属》《物理学报》更多>>; 相关主题：GAN多量子阱材料ALGANGAN基发光二极管P型更多>>; 相关领域：电子电信环境科学与工程电气工程机械工程更多>>

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第10期2001-2005,共5页熊兵王健蔡鹏飞田建柏孙长征罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60244001;60223001和60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190和2002AA31119Z);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036601)资助项目~~; 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了...; 关键词：宽带硅基过渡热沉高速电吸收调制器高阻率硅衬底低损耗共面波导薄膜电阻

p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期965-969,共5页薛松韩彦军吴震罗毅; 国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~; 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型Ga...; 关键词：p型氮化镓比接触电阻率传输线模型圆形传输线模型

高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4: 《物理学报》2005年第8期3905-3909,共5页邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪; 国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助的课题.~~; 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光...; 关键词：In组分多量子阱材料 GAN 荧光谱发光二极管注入条件内建电场双峰现象电致荧光复合机理 MQWs 有源区电流反常

10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期662-666,共5页孙长征熊兵王健蔡鹏飞田建柏罗毅刘宇谢亮张家宝祝宁华; 国家自然科学基金(批准号:60223001,60244001,60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190和2002AA31119Z);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000 03 6601)资助项目~~; A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupl...; 关键词：DFB lasers EA modulators photonic integrated circuit gain-coupling

GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究被引量：20: 《光电子．激光》2005年第4期385-389,共5页申屠伟进胡飞韩彦军薛松罗毅钱可元; 国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601);国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金资助项目(60244001); 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;...; 关键词：提取效率发光二极管 GaN 蒙特卡罗方法光吸收系数模拟分析环氧树脂芯片尺寸 LEDS 蓝宝石折射率反射率限制 P型封装

GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期707-710,共4页何为郝智彪罗毅; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60244001;60390074)~~; 采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化...; 关键词：动力学蒙特卡罗模拟量子点外延生长

MOCVD生长GaN材料的模拟被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期735-739,共5页郭文平邵嘉平罗毅孙长征郝智彪韩彦军; 国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313130;2001AA312190);国家重点基础研究发展计划(批准号:TG2000036601);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~; 基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理...; 关键词：GAN MOCVD 计算流体力学模拟局域Ⅴ/Ⅲ比

利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第2期363-367,共5页周进波孙长征熊兵王健罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60244001和60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313130和2001AA312190);国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601)资助项目~~; 提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法 .实验发现 ,光栅的表面起伏深度很小 ,约为 12 4～0 7nm ;折射率调制较大 ,达到 0 0 10左右 .这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景 .; 关键词：光聚合反应聚合物光栅分布反馈聚合物激光器

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第11期1496-1499,共4页邵嘉平郭文平胡卉郝智彪孙长征罗毅; 国家自然科学基金 (批准号 :60 2 44 0 0 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 12 190 ;2 0 0 1AA3 13 13 0 );国家重点基础研究发展规划(批准号 :TG2 0 0 0 0 3 660 1)资助项目~~; 分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,...; 关键词：GAN LED材料蓝带发光

氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响被引量：1: 《功能材料与器件学报》2004年第4期451-454,共4页唐广郝智彪钱可元罗毅; 国家自然科学基金(No.60244001);清华大学基础研究基金(No.JZ2002005)资助项目; 研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备...; 关键词：ALGAN 肖特基接触等离子体

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