河北省自然科学基金(503125)

作品数：11被引量：42H指数：4
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相关作者：彭英才傅广生王英龙范志东马蕾更多>>
相关机构：河北大学中国科学院东京理科大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《量子电子学报》《河北大学学报（自然科学版）》《人工晶体学报》《微纳电子技术》更多>>
相关主题：HFO2栅介质HFOSI高介电常数光电子学更多>>
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量子点光电子器件及其研究进展
《固体电子学研究与进展》2008年第2期235-240,共6页彭英才 ZHAO Xinwei 马蕾 
河北省自然科学基金(503125);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助项目
作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展...
关键词：能带工程 半导体量子点 光电子器件 光电子产业 
中红外量子级联激光器的研究进展被引量：6
《微纳电子技术》2007年第9期845-852,共8页彭英才 赵新为 尚勇 
河北省自然科学基金资助项目(503125)
以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。以不同技术指标和特性参数为主要内容,如激...
关键词：能带工程 有源区结构 量子级联激光器 特性参数 
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：9
《材料导报》2007年第1期22-26,共5页田书凤 彭英才 范志东 张弘 
河北省自然科学基金(编号:503125)资助项目
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐...
关键词：高介电常数 HFO2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性 
纳米薄膜材料的蓝光发射特性及其研究进展被引量：1
《人工晶体学报》2006年第4期820-825,共6页彭英才 傅广生 王英龙 
河北省自然科学基金(No.503125);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助
蓝光发射是纳米半导体材料发光特性的一个重要研究方向。本文首先简要介绍了蓝光发射的物理机制，接着重点评述了几种主要纳米薄膜材料，如ZnO、GaN、CdS和Si纳米结构等，近3～5年内在蓝发光射特性方面所取得的最新研究进展。最后，对...
关键词：纳米薄膜材料 蓝色发光 器件应用 
纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积被引量：5
《人工晶体学报》2006年第3期560-564,共5页彭英才 马蕾 康建波 范志东 简红彬 
河北省自然科学基金(No.503125);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助
利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量...
关键词：LPCVD 纳米晶粒 多晶Si膜 结晶成核 晶粒融合 
超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展
《河北大学学报（自然科学版）》2005年第6期673-679,共7页张弘 范志东 田书凤 彭英才 
河北省自然科学基金资助项目(503125);南京大学固体微结构物理实验开放课题(M041911)
在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
关键词：SiOxNy栅介质 热退火N化 等离子体氮化 化学气相沉积 氮注入 
实现受激光发射探索S i基激光器被引量：1
《人工晶体学报》2005年第5期948-953,共6页彭英才 X.W.Zhao 傅广生 王英龙 
河北省自然科学基金(No.503125);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放基金资助
本文首先评论了近5年来各类Si基纳米材料在光增益和受激光发射特性研究方面所取得的最新进展.进而指出,晶粒有序的小尺寸和高密度纳米晶Si(nc-Si),具有载流子三维量子受限的局域化纳米结构和具有高激活浓度Er掺杂的nc-Si:Er/SiO2纳米薄...
关键词：NC-SI 局域化Si基纳米结构 光增益 受激光发射 Si基激光器 全Si光电子集成 
多晶硅薄膜制备技术的研究进展被引量：7
《河北大学学报（自然科学版）》2005年第1期97-103,共7页马蕾 简红彬 康建波 彭英才 
河北省自然科学基金资助项目(503125)
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
关键词：多晶硅薄摸 低压化学气相淀积 热丝化学气相淀积 固相晶化 激光诱导晶化 金属诱导晶化 
提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索被引量：4
《人工晶体学报》2005年第1期183-189,共7页彭英才 傅广生 王英龙 尚勇 
河北省自然科学基金 (No. 503125和No. 500084)资助
本文中, 我们以SiO2 介质镶嵌的纳米晶Si薄膜 (nc Si/SiO2 )作为基质, 将稀土离子Er掺入其中所形成的nc Si:Er3+ /SiO2 薄膜材料为主, 介绍了nc SiEr3+之间的能量转移过程, 探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径。这...
关键词：掺铒 硅基 发光效率 转移效率 掺杂浓度 SIO2薄膜 高效率 能量转移 稀土离子 退火温度 
Si基光电子学的研究与展望被引量：10
《量子电子学报》2004年第3期273-285,共13页彭英才 ZHAO X W 傅广生 王英龙 
河北省自然科学基金(503125和500084);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材...
关键词：光电子学 直接带隙Si基低维材料 晶粒有序Si基纳米材料 稳定高效Si基发光器件 全Si 光电子集成 
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