国家教育部博士点基金(20020422056)

作品数：18被引量：85H指数：5
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退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
《物理学报》2006年第1期437-440,共4页张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 
教育部博士点基金(批准号:20020422056)资助的课题~~
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取...
关键词：MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火 
氮化锌粉末的结构和化学键状态
《稀有金属材料与工程》2006年第1期55-58,共4页宗福建 马洪磊 薛成山 杜伟 张锡建 马瑾 计峰 肖洪地 
教育部博士点基金(20020422056);国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多...
关键词：氮化法 Zn3N2 结构 化学键状态 
Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构特性研究
《无机材料学报》2006年第1期235-238,共4页张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 
教育部博士点基金(20020422056)
采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,...
关键词：MGXZN1-XO 射频磁控溅射 结构特性 
退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响被引量：6
《稀有金属材料与工程》2005年第11期1747-1750,共4页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对...
关键词：射频磁控溅射法 SnO2:Sb薄膜 光致发光 
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量：7
《稀有金属材料与工程》2005年第7期1166-1168,共3页马瑾 余旭浒 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在...
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 真空退火 
射频磁控溅射法生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学特性被引量：1
《物理学报》2005年第9期4309-4312,共4页张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 
教育部博士点基金(批准号:20020422056)资助的课题.~~
用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x≤0.30)薄膜.x射线衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,没有形成任何显著的MgO分离相,MgxZn1-xO薄膜的择优取向平行于与衬底垂直的c轴;c轴晶格常数随着Mg含...
关键词：MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 Mg含量 纤锌矿结构 薄膜 光学特性 生长 衬底温度 光透射谱 X射线衍射 择优取向 
溅射功率和淀积时间对Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构特性的影响
《山东大学学报（理学版）》2005年第3期49-52,共4页张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 
教育部博士点基金资助项目(20020422056)
用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出MgxZn1xO薄膜,研究了溅射功率和淀积时间对薄膜结构特性的影响.X射线衍射(XRD)谱和原子力显微镜(AFM)图像表明:MgxZn1xO薄膜为六角纤锌矿结构,且具有非常好的沿垂直于衬底的c轴的择优取向.随着溅射功...
关键词：MgxZn1-x O薄膜 射频磁控溅射 XRD AFM 
射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性被引量：15
《Journal of Semiconductors》2005年第2期314-318,共5页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 王翠英 马洪磊 
国家自然科学基金(批准号:6027044);博士点基金(批准号:20020422056)资助项目~~
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 ....
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 
溅射法生长Mg_xZn_(1-x_O薄膜的结构和光学特性被引量：1
《功能材料与器件学报》2005年第1期11-14,共4页张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 王翠英 
教育部博士点基金项目(项目编号:20020422056)
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。...
关键词：MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 光致发光 
薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量：37
《功能材料》2005年第2期241-243,共3页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍...
关键词：磁控溅射 ZNO:GA 薄膜厚度 光电性质 
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