河北省自然科学基金(E2013202247)

作品数：35被引量：120H指数：6
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相关机构：河北工业大学河北联合大学中芯国际集成电路制造有限公司天津城建大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电镀与精饰》《河北工业大学学报》《微纳电子技术》更多>>
相关主题：CMP化学机械抛光去除速率SURFACE_ROUGHNESSSLURRY更多>>
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不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响被引量：5
《微纳电子技术》2018年第3期201-205,223,共6页刘国瑞 刘玉岭 栾晓东 王辰伟 牛新环 
国家中长期科技发展规划科技重大专项(2016ZX02301003);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅科研基金资助项目(QN2014208);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
分别选用FA/O螯合剂和甘氨酸作为络合剂配置铜布线CMP抛光液,研究对比了两种抛光液的抛光速率、静态腐蚀溶解速率、平坦化以及稳定性。速率实验表明,抛光液中加入FA/O螯合剂和甘氨酸都可以显著提高铜的抛光速率,基于甘氨酸配置的抛光液...
关键词：FA/O螯合剂 平坦化 稳定性 甘氨酸 缓蚀剂 
HFCVD金刚石薄膜的热场模拟及实验被引量：1
《半导体技术》2018年第1期53-58,共6页路一泽 檀柏梅 高宝红 刘宜霖 张礼 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308-003);国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247,F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);博士后科研项目择优资助项目(B2015003010)
基体温度是影响金刚石薄膜生长质量的重要因素之一。基于有限元分析法,通过ANSYS CFX软件对基体温度场进行模拟仿真,得到基体表面温度场的分布,并分别讨论了热丝-基体距离、热丝间距、水冷系数等参数对系统温度场均匀性和一致性的影响...
关键词：热丝化学气相沉积(HFCVD) 金刚石薄膜 温度场 有限元分析 均匀性 
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制被引量：1
《微纳电子技术》2017年第8期553-557,564,共6页唐继英 刘玉岭 王辰伟 洪姣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除...
关键词：化学机械抛光(CMP)后清洗 苯并三氮唑(BTA)去除 铜腐蚀 螯合剂 表面活性剂 
NaClO和FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的CMP影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第3期202-207,212,共7页郑环 周建伟 王辰伟 张乐 王仲杰 杜义琛 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬度均不相同,Ru和Cu很难达到适合的速率选择比。研究了在以NaClO为氧化剂时,磨料质量分数、pH值、NaClO溶...
关键词：集成电路 新型阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 次氯酸钠(NaClO) pH值 
GLSI铜布线碱性抛光液中磨料的稳定性
《微纳电子技术》2017年第2期120-124,共5页赵亚东 刘玉岭 栾晓东 闫辰奇 王仲杰 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
在铜化学机械抛光中硅溶胶作为磨料起到重要的机械作用。但硅溶胶本身存在热力学上的不稳定性和动力学上的稳定性。研究了pH值、甘氨酸质量分数以及硅溶胶质量分数对抛光液中硅溶胶的粒径和Zeta电位的影响。结果表明,硅溶胶稳定性影响...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅溶胶 DLVO理论 ZETA电位 稳定性 
抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响被引量：10
《半导体技术》2017年第2期119-123,152,共6页赵亚东 刘玉岭 栾晓东 牛新环 王仲杰 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为...
关键词：化学机械抛光(CMP) 片内非均匀性(WIWNU) 抛光压力 非离子型表面活性剂 铜去除速率 
不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响被引量：4
《微纳电子技术》2017年第1期65-70,共6页郑环 周建伟 刘玉岭 王辰伟 张乐 王仲杰 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家科技重大专项子课题河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实验结果...
关键词：集成电路(IC) 阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 过氧化氢(H2O2) pH值 
基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响被引量：6
《微纳电子技术》2016年第12期822-827,共6页栾晓东 牛新环 刘玉岭 闫辰奇 赵亚东 王仲杰 王辰伟 
国家中长期科技发展规划科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省教育厅科研基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表...
关键词：化学机械抛光(CMP) 非离子活性剂 表面粗糙度 活化能 接触角 
H_2O_2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响被引量：3
《微纳电子技术》2016年第12期828-832,837,共6页张乐 周建伟 刘玉岭 王辰伟 郑环 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅基金资助项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果...
关键词：钌 铜 电化学 电偶腐蚀 PH 
新型碱性抛光液对Si晶圆抛光速率的优化被引量：4
《微纳电子技术》2016年第10期702-706,共5页李凤英 刘玉岭 牛新环 孙鸣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
研发了一种新型的碱性抛光液,用于提高Si晶圆的抛光速率以及循环使用时的高速率稳定性。分析了FA/OⅡ型螯合剂与KOH调节剂对Si晶圆抛光速率的影响,单因素实验发现:当FA/OⅡ型螯合剂调节抛光液的pH值时,随着pH值增大,Si晶圆的抛光速率先...
关键词：碱性抛光液 Si晶圆 FA/OⅡ型螯合剂 抛光速率 硅溶胶研磨料 
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