云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 中国科学院微电子研究所所长基金

中国科学院微电子研究所所长基金: 作品数：14被引量：38H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：徐静波张海英付晓君黎明张育胜更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院北方工业大学南开大学更多>>; 相关期刊：《微电子学与计算机》《电子工业专用设备》《科学通报》《电子测量技术》更多>>; 相关主题：MHEMTINALAS/INGAASHEMTSGAMETAMORPHIC更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

SiC MOS器件界面钝化研究进展被引量：4: 《微电子学》2021年第3期382-389,共8页朱浩张静李鹏飞袁述; 中国科学院微电子研究所所长基金(Y9SR03X002);北京市自然科学基金面上项目(4182021)。; 从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺。通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度。针对这几种钝化工艺对SiC/SiO_(2)界面态密度的影响进行讨论,分析几种钝化工艺的优劣,并重...; 关键词：碳化硅钝化界面态密度

氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究被引量：3: 《半导体技术》2011年第10期778-781,785,共5页付晓君张海英徐静波; 中国科学院微电子研究所所长基金项目(O8SB034002); 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火...; 关键词：氧化锌纳米线场效应晶体管背栅退火

一种适用于信号检测的低失真低功耗Σ-Δ A/D转换器被引量：3: 《微电子学》2011年第4期488-492,497,共6页范军蒋见花李海龙; 中国科学院知识创新工程科技创新重要方向项目(Y0YF052001);中国科学院微电子研究所所长基金项目(08SB012001); 采用TSMC 0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,实现了一种适用于传感器信号检测的低失真低功耗Σ-Δ模数转换器(ADC)。该ADC的调制器采用前馈结构和128倍过采样率,实现了12.8 MHz的数据流输出;数字滤波器通带纹波限定在±0.001 dB,阻-带80 d...; 关键词：Σ-Δ调制器 A/D转换器微弱信号检测开关电容积分器

一种用于数字PFC的嵌入式SARADC被引量：1: 《微电子学与计算机》2011年第2期77-81,共5页杨超赵野周玉梅; 中国科学院微电子研究所所长基金重点项目(08SA042001); 设计了一个用于数字PFC(功率因数校正)的12位精度的逐次逼近(SAR)A/D转换器.对DAC模块中出现的电容寄生问题进行了详细分析,针对性提出了一种1-6-5式的新型电容分段结构,并采用伪差分结构消除电荷注入和时钟馈通引入的一阶效应,使ADC性...; 关键词：逐次逼近电容寄生伪差分数字功率因数校正

纳秒脉冲空气辉光放电等离子体及应用被引量：9: 《强激光与粒子束》2010年第10期2299-2302,共4页万军贾向红宋铭炜王守国; 科技部02重大专项资助课题(2009ZX02037-008);中国科学院微电子研究所所长基金项目; 采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器采用负高压针电极阵列与平板阳极结构,针电极的直径为1 mm,长度为20 mm,针电极之间的间隔为...; 关键词：纳秒脉冲放电半导体断路开关空气辉光等离子体表面处理

基于CORDIC算法的高速可配置FFT的FPGA实现被引量：4: 《微电子学与计算机》2010年第3期24-28,共5页文婧媛徐欣锋; 中国科学院院长奖专项资金(07YY012001);中国科学院微电子研究所所长基金项目(06SB042002); 论述了一种用于星载合成孔径雷达(SAR)星上数据实时自主处理系统中的高性能FFT的FPGA实现.采用CORDIC算法实现复数乘法,降低了系统的复杂性,提高了运算速度,并提出一种新型便捷的旋转因子产生方法,无需额外的ROM资源.采用块浮点的数据类...; 关键词：CORDIC算法 FFT 旋转因子块浮点无冲突地址生成

10bit 20MS/s流水线模数转换器设计被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2010年第1期114-118,共5页卫宝跃周玉梅范军胡晓宇陈利杰; 中国科学院微电子研究所所长基金(06SB032001); 设计了一个20MHz采样率,10bit精度流水线模数转换器。采用新颖的栅压自举开关,使电路在输入信号频率很高时仍具有良好的动态性能;用MATLAB仿真增益增强型运算放大器在不同反馈因子下闭环零、极点特性,提出了使大信号建立时间最短的主运...; 关键词：模数转换器自举开关增益增强型运算放大器零极点分析

平滑陡直的Si深槽刻蚀方法被引量：7: 《半导体技术》2009年第3期214-216,220,共4页张育胜; 中国科学院微电子研究所所长基金项目(07SF074002); Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积...; 关键词：硅深槽刻蚀电感耦合等离子体 Bosch工艺化学平衡

Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate: 《Journal of Semiconductors》2008年第12期2331-2334,共4页黎明张海英徐静波付晓君; supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Programin Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,(No.O6SB124004)~~; 200nm gate-length power InAlAs/InGaAs MHEMTs with T-shaped gate are characterized for DC, RF, and power performance. The MHEMTs show excellent DC output characteristics with an extrinsic transconductance of 510mS/ mm ...; 关键词：MHEMT INALAS/INGAAS power characteristics T-shaped gate

太阳能电池刻蚀机的控制系统研究: 《电子工业专用设备》2008年第8期20-22,31,共4页张育胜; 中国科学院微电子研究所所长基金(07SF074002)资助项目; 太阳能电池刻蚀机的自动生产流程是逻辑控制系统,提出采用树形结构对逻辑控制系统进行分析,各子系统用树形结构进行设计,终端子系统采用时序图方法进行设计,综合了组合逻辑和时序逻辑控制。此方法应用于自动太阳能电池刻蚀机,提高了系...; 关键词：树形结构逻辑控制系统组合逻辑时序逻辑时序图

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