云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2011AA03A103)

国家高技术研究发展计划(2011AA03A103): 作品数：15被引量：19H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张荣谢自力刘斌陈鹏修向前更多>>; 相关机构：南京大学南京信息工程大学北京大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室更多>>; 相关期刊：《功能材料》《Chinese Physics B》《光谱学与光谱分析》《中国激光》更多>>; 相关主题：GAN氮化镓氢化物气相外延氮化铟INN更多>>; 相关领域：电子电信理学自然科学总论机械工程更多>>

背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响被引量：2: 《微纳电子技术》2014年第6期359-365,共7页甘天胜李毅刘斌孔月婵陈敦军谢自力修向前陈鹏陈辰韩平张荣; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;61274003;61176063);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010;BY201377;BK2010385;BE2011132);重点实验室基金资助项目(9140C140102120C14);江苏省高校优势学科建设工程资助项目; 利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓...; 关键词：INALN GAN异质结构背势垒插入层二维电子气(2DEG) 能带结构电子迁移率

GaN hexagonal pyramids formed by a photo-assisted chemical etching method: 《Chinese Physics B》2014年第5期588-593,共6页张士英修向前华雪梅谢自力刘斌陈鹏韩平陆海张荣郑有炓; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2011CB301900,2012CB619304,and 2010CB327504);the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2011AA03A103);the National Nature Science Foundation of China(Grant Nos.60990311,60906025,60936004,and 61176063);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BK2011010 and BK2009255); A series of experiments were conducted to systematically study the effects of etching conditions on GaN by a con-venient photo-assisted chemical （PAC） etching method. The solution concentration has an evident influe...; 关键词：hexagonal pyramids GAN photo-assisted chemical etching

InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2014年第2期327-330,共4页代爽于彤军李兴斌袁刚成路慧敏; 国家重点基金研究项目(2011CB301900,2013CB328705);国家高科技研究发展计划项目(2011AA03A103);国家自然科学基金项目(61076012,61076013,61204054,61275052)资助; 系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化...; 关键词：INGAN GaN多量子阱蓝光发光二极管老化电致发光谱极化电场

氢化物气相外延生长GaN膜性质研究被引量：1: 《功能材料》2013年第23期3412-3415,3420,共5页刘战辉张李骊李庆芳修向前张荣谢自力; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;60906025;61176063);国家自然科学基金青年科学基金资助项目(51002079;21203098); 利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性。样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延高分辨X射线衍射拉曼光谱变温光致发光谱

氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究被引量：1: 《物理学报》2013年第20期428-437,共10页张李骊刘战辉修向前张荣谢自力; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:60990311,60906025,61176063)、国家自然科学基金青年科学基金(批准号:51002079,21203098);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A103)资助的课题~~; 系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核岛的横向生长;优化...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延低温成核层

InAlN材料表面态性质研究被引量：2: 《物理学报》2013年第17期439-445,共7页杨彦楠王新强卢励吾黄呈橙许福军沈波; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB619303,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:61225019,11023003,10990102);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111);教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题~~; 运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验...; 关键词：不同In组分的InAlN材料表面态电流电压特性变频电容电压特性

氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2013年第8期2105-2108,共4页刘战辉修向前张李骊张荣张雅男苏静谢自力刘斌单云; 国家重点基础研究发展规划项目(2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划项目(2011AA03A103);国家自然科学基金项目(60990311,60906025,61176063,51002079,21203098);江苏省自然科学基金项目(BK2011010)资助; 对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延拉曼光谱激光光致发光谱应力

富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响: 《中国科技论文》2013年第7期703-706,共4页李烨操胡海楠刘斌张荣滕龙庄喆谢自力陈敦军郑有炓陈强俞慧强; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB301900);国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090091120020);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010;BK2010385;BK2010178);霍英东教育基金资助项目(122028); 采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.3...; 关键词：微电子学与固体电子学 INGAN 拉曼散射声子模温度

InN的光致发光特性研究被引量：3: 《物理学报》2013年第11期492-495,共4页王健谢自力张荣张韵刘斌陈鹏韩平; 国家重点基础研究发展计划(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~; 研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且可以计算出相应的...; 关键词：氮化铟金属有机化学气相淀积光致发光载流子浓度

新型电极材料石墨烯在LED中的应用被引量：2: 《激光与光电子学进展》2013年第8期169-176,共8页吴才川刘斌谢自力修向前陈鹏韩平张荣孔月婵陈辰; 国家973计划(2011CB301900;2012CB619304;2010CB327504);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;61274003;60936004;61176063);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金(BK2011010);江苏高校优势学科建设工程资助项目;南京大学扬州光电研究院研发基金; 石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电...; 关键词：光电子学石墨烯氧化铟锡发光二极管

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