《微电子学》

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《微电子学》
主办单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所
最新期次：2024年4期更多>>
发文主题：CMOS集成电路低功耗A/D转换器模拟集成电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
发文作者：张波冯全源罗萍谭开洲赖宗声更多>>
发文机构：中国电子科技集团第二十四研究所电子科技大学清华大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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模拟集成电路工艺技术研究进展
《微电子学》2024年第4期523-541,共19页付晓君 
国家自然科学基金资助项目(12105252);国防科技重点实验室稳定支持基金资助项目(JZJJXN20230004-11)。
集成电路工艺是芯片制造的关键技术,也是推动芯片性能提升的主要动力。模拟集成电路作为集成电路的重要组成部分,是电子系统与自然界模拟信息交换的桥梁,具有应用范围广、产品门类多、工艺耦合度高等特点,因此模拟集成电路工艺技术呈现...
关键词：模拟集成电路 制造工艺 SiGe BiCMOS BCD RF CMOS 
0.18μm PDSOI MOSFET高温模型研究
《微电子学》2024年第4期542-546,共5页王成成 洪敏 蒲凯文 王芳 李博 朱慧平 刘凡宇 卜建辉 
集成电路与微系统全国重点实验室基金项目(2022-JCJQ-LB-049-3)。
针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Sil...
关键词：BSIMSOI PDSOI 亚阈值漏电 高温模型 
一种高增益纵向PNP晶体管器件设计
《微电子学》2024年第4期547-550,共4页欧宏旗 龙翠平 朱梦蝶 陆泽灼 张羽翔 安宁 梁康弟 龚榜华 裴颖 税国华 刘建 张扬波 刘青 
兼顾纵向PNP晶体管高电流增益和高击穿特性,设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)全介质隔离的P外延互补双极工艺,通过优化纵向PNP晶体管的基区掺杂浓度和有效基区宽度,获得一种高电流增益的纵向PNP晶体管,器件增益β≥500,耐压大于等于30 V。
关键词：P外延 高电流增益 多晶硅发射极 纵向PNP 
新型集成隐埋齐纳二极管的研制及稳定性研究
《微电子学》2024年第4期551-557,共7页路婉婷 阚玲 刘青 杨赉 刘娇 张新宇 李永林 孔相鳗 龚榜华 谢迪 
介绍了一种采用40 V高压双极工艺制作的新型集成隐埋齐纳二极管的稳定性研究。这种新型隐埋齐纳二极管击穿电压值可调,齐纳击穿区避开表面,隐埋在硅体内,且内阻小、噪声低。首先分析了40 V高压双极工艺现有的次表面集成齐纳二极管长期...
关键词：集成隐埋齐纳二极管 稳定性 反向击穿 电压温度系数 高压双极工艺 
基于选区外延法的单片异质集成GaN/Si的研究
《微电子学》2024年第4期558-563,共6页程骏骥 戚翔宇 王思亮 王鹏 黄伟 胡强 杨洪强 
中国博士后科学基金(2020M683286)。
将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提...
关键词：GaN/Si单片异质集成 选区外延 热扩裕量预留技术 
面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路
《微电子学》2024年第4期564-569,共6页邵瑞洁 吴之久 明鑫 王卓 张波 
国家重点研发计划(2022YFB3604204);国家自然科学基金(61974019);四川省科技计划资助(2020YFJ0002)。
在高压GaN半桥栅驱动系统应用中,需要通过电平位移电路来实现信号在不同电压域之间的转换。为了保证转换过程中的信号完整性,设计了一种面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路。在半桥开关节点电压发生快速切换时,针对电路内部大寄生...
关键词：GaN半桥驱动 电平位移电路 高噪声抗扰度 
基于悬浮电源动态放大器的Delta-Sigma调制器
《微电子学》2024年第4期584-589,共6页李海鸥 王媛 翟江辉 奥鹏龙 秦关明 
国家自然科学基金面上项目(62174041);广西自然科学基金创新研究团队项目(2018GXNSFGA281004);云南省科技重大专项计划新材料专项(202102AB080008-2);广西研究生教育创新计划项目(YCSW2023305,YCSW2022273)。
采用SMIC 180 nm CMOS工艺,设计了一款低功耗3阶3 bit Delta-Sigma调制器(DSM)。该调制器工作于半周期相位,积分器采用共源共栅型悬浮电源动态放大器(FIA)结构,该结构能够有效降低电路功耗,通过使用多位量化器提高信噪比,并采用数据加...
关键词：模数转换器 DELTA-SIGMA调制器 动态放大器 悬浮电源动态反相放大器 
一种基于全差分环形放大器的高精度两步SAR ADC设计
《微电子学》2024年第4期590-596,共7页王庆玲 辛晓宁 任建 高从勇 张家豪 
国家自然科学基金面上项目(6187011861);辽宁省教育厅青年育苗项目(LQGD2020009)。
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款18位、采样率为5 MS/s的高精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。整体电路采取两步法的设计思路,利用全差分环形放大器将前级8位电容分裂型ADC的剩余电压放大后,再由后级10位桥接电容型ADC继续采样和量化...
关键词：模数转换器 两步法 电容分裂 桥接电容 高精度 
正温度系数跨导基准电路及其应用实例
《微电子学》2024年第4期597-603,共7页张然 
基于130 nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(Bipolar and Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,提出了一款由跨导参考源与温度系数校准电路构成的,应用于超低增益温漂放大器的正温度系数跨导基准电路。提出的正温...
关键词：基准 超低增益温漂 正温度系数跨导 BICMOS 
一种带前馈的自适应斜坡电压模Boost转换器芯片
《微电子学》2024年第4期604-610,共7页沈磊 陈勇 夏雪 孙权 董磊 
2022年国家重点研发计划(2022YFB4401904)。
介绍了一款带前馈的自适应斜坡电压模Boost转换器芯片,与传统电压模控制DC-DC转换器芯片相比,所提出的控制环路的斜坡电压幅值和斜率的直流值由输入电压和输出电压决定,具有自适应斜坡特性,减小了转换器的线性和负载调整率。同时,通过...
关键词：电压模 自适应斜坡 前馈和快反馈 DC-DC转换器 
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