西安电子科技大学芜湖研究院

作品数：33被引量：25H指数：2
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
发文主题：电极金刚石氮化镓碳化硅HEMT器件更多>>
发文期刊：《电子学报》《物理学报》《真空电子技术》《磁性材料及器件》更多>>
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GaN HEMT器件表面钝化研究进展
《电子与封装》2024年第12期71-79,共9页陈兴 党睿 李永军 陈大正 
国家自然科学基金(62274126)。
作为第三代半导体材料之一,GaN凭借其优异的材料特性,如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等,在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT器件方面得到广泛应用。然而,目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系...
关键词：GaN HEMT器件 MIS-HEMT 钝化 电流崩塌 栅泄漏电流 
金刚石SBD及RF-DC电路应用研究
《固体电子学研究与进展》2024年第6期547-551,共5页马源辰 任泽阳 李逸江 张金风 许琦辉 苏凯 张进成 郝跃 
国家重点研发计划项目(2022YFB3608601);国家自然科学基金面上项目(62374122);国家自然科学基金重大仪器项目(62127812)。
采用微波等离子体化学气相沉积设备对单晶金刚石衬底进行氢等离子体处理,形成氢终端金刚石表面空穴电导,制备氢终端肖特基二极管。二极管采用金作为阴极金属,铝作为肖特基金属。接着通过金线键合技术制备了RF-DC电路。二极管表现出良好...
关键词：氢终端金刚石 肖特基二极管(SBD) RF-DC电路 整流特性 
金刚石硼掺杂准垂直肖特基二极管特性研究
《真空电子技术》2024年第5期64-70,共7页李逸江 宋松原 任泽阳 祝子辉 张金风 苏凯 张进成 马源辰 郝跃 
国家重点研发计划(2022YFB3608601);国家自然科学基金重大仪器项目(62127812);国家自然科学基金面上项目(62374122)。
金刚石是超宽禁带半导体材料的典型代表,因其优异的材料特性,在高温、高频、大功率微波和电力电子器件应用中有着显著的优势。金刚石体掺杂p型二极管由于工艺简单、并且有望发挥出金刚石击穿场强高的特性。采用微波等离子体化学气相沉...
关键词：金刚石 硼掺杂 肖特基二极管 准垂直结构 
高阻硅衬底的高质量Ⅲ族氮化物外延及其研究
《中国集成电路》2024年第8期57-61,共5页陈兴 
GaN器件因为特殊的2DEG(形成密度高达2×10^(13)cm^(-2))的高电子密度和高迁移率,在高频高压大功率微电子器件领域具有很大的应用前景。在本文的研究中,通过使用MOCVD(金属有机化学气相沉积系统)成功地在8英寸高阻硅衬底上外延生长出AlG...
关键词：高阻硅衬底 MOCVD GaN外延 
一种快速低功耗的振铃抑制电路
《中国集成电路》2024年第6期56-60,共5页张丽 
本文设计了一种适用于多节点CAN FD收发器的振铃抑制电路。本电路采用自适应通断设计与快速响应结构,对振铃信号进行快速取样并送入动态比较器,达到振铃抑制的效果,同时采用快速的复位电路,提高电路响应速度。最后,利用Saber软件,在多节...
关键词：CAN FD SABER 收发器 振铃抑制 
金刚石二维电导和场效应管研究新进展
《电子学报》2024年第6期2151-2160,共10页张金风 张进成 任泽阳 苏凯 郝跃 
国家重点研发计划(No.2022YFB3608600);自然科学基金(No.62127812,No.62374122)。
金刚石表面沟道场效应管以氢终端金刚石表面的二维空穴气2DHG(Two-Dimensional Hole Gas)作为沟道实现输入电压对输出电流的控制,是目前金刚石电子器件的主流结构.该2DHG面电导具有可大范围调控的面电荷密度和较高空穴饱和漂移速度.本...
关键词：金刚石 氢终端 场效应管 二维空穴气 
一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
等离子体增强原子层沉积AlN外延单晶GaN研究
《无机材料学报》2024年第5期547-553,共7页卢灏 许晟瑞 黄永 陈兴 徐爽 刘旭 王心颢 高源 张雅超 段小玲 张进成 郝跃 
国家重点研发计划(2022YFB3604400);国家自然科学基金(62074120,62134006);中央高校基本科研业务费(JB211108)。
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜...
关键词：GAN ALN 等离子体增强原子层沉积 成核层 外延 
低时延CORDIC算法设计与ASIC实现
《中国集成电路》2024年第4期59-64,共6页何滇 
传统流水线CORDIC(Coordinate Rotation Digital Computer,CORDIC)算法精度不高,输出延时较大,并且需要依靠剩余角度计算进行旋转方向的判断,占用较大的资源。针对以上问题,本文采用角度二极化重编码方法消除剩余角度计算,通过折叠角度...
关键词：坐标旋转数字计算机 二极化重编码 合并迭代 CMOS ASIC 
基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术被引量：1
《强激光与粒子束》2024年第1期43-48,共6页郭登耀 汤晓燕 宋庆文 周瑜 郭京凯 孙乐嘉 袁昊 杜丰羽 张玉明 
国家自然科学基金项目(62174123)。
利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管(DSRD)与雪崩整形二极管(DAS)全电路仿真模型,研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力,并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化的机制。借助碳化硅DSRD可以将...
关键词：碳化硅 漂移阶跃恢复二极管 雪崩整形二极管 超宽带 
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