NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究
《固体电子学研究与进展》2017年第5期312-315,338,共5页陈海峰 
国家自然科学研究基金资助项目(61306131)
复合电流曲线面积S这一参数被引入来研究了热电子应力下n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)中复合电流的退化特性。电子注入应力中,复合电流随着热电子应力后峰值变小并且曲线展宽。基于对S变化的分析,发现这种变化归因于热电子...
关键词：界面陷阱 复合电流 热电子应力 n型金属氧化物半导体场效应晶体管 
应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第2期115-119,共5页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢...
关键词：轻掺杂漏区 产生电流 应力 阈值电压 饱和漏电流 
动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性被引量：4
《固体电子学研究与进展》2008年第4期475-478,500,共5页毕津顺 海潮和 
对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET,降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机...
关键词：温度退化特性 动态阈值 n型场效应晶体管 
新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究
《固体电子学研究与进展》2003年第4期400-405,共6页童建农 邹雪城 沈绪榜 
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏...
关键词：槽栅结构 NMOSFET 热载流子效应 热载流子退化 器件特性 亚阈值特性 输出特性 
NMOSFET电离辐射效应的二维数值模拟
《固体电子学研究与进展》2001年第3期339-344,共6页罗尹虹 张正选 吴国荣 姜景和 
对具有侧向寄生晶体管的 NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟。通过在 Si O2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程 ,对 NMOSFET的电离辐射效应特性进行研究 ,得出辐射产生的泄漏电流 。
关键词：N-金属氧化物半导体效应晶体管 电离辐射效应 二维数值模拟 
0．1μm　NMOSFET沟道δ－掺杂与结构特性
《固体电子学研究与进展》1996年第3期206-210,共5页刘卫东 李志坚 刘理天 
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏源电流ＩＤＳ、截止态电流Ｉｏｆｆ、阈值电压Ｖ...
关键词：NMOSFET δ-掺杂 性能 可靠性 微电子学 
低温NMOSFET的解析模型
《固体电子学研究与进展》1995年第1期33-40,共8页刘卫东 魏同立 
国家自然科学基金
利用缓变沟道近似（ＧＣＡ）及准二维分析，提出了在７７～２９５Ｋ温区工作的ＮＭＯＳＦＥＴ的解析模型。建模中不仅考虑迁移率蜕变（电场引起）、载流子速度饱和及沟道调制效应，而且计入温度相关参数的温度特性。模拟结果显示了该模...
关键词：低温 MOSFET 模型 MOS器件 
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