云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 等离子体增强

等离子体增强: 作品数：340被引量：736H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：亓钧雷冯吉才姜礼华肖婷向鹏更多>>; 相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学大连理工大学浙江大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

指纹状碳薄膜在润滑油作用下的摩擦学性能被引量：1: 《兰州理工大学学报》2018年第6期69-73,共5页俞树荣马巍龚珍彬张俊彦; 科技部973项目(2013CB632300); 利用高功率脉冲等离子体增强化学气相沉积(HIP-PECVD)技术,在硅基底表面制备指纹状的碳基薄膜(FPC∶H).通过Tecnai-G2F30型高分辨透射电镜(HRTEM)以及LABRAM HR 800型拉曼光谱仪对薄膜的结构进行表征;利用往复摩擦试验机、奥林巴斯STM6...; 关键词：高功率脉冲等离子体增强化学气相沉积指纹状碳薄膜润滑油摩擦性能

等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化被引量：7: 《物理学报》2014年第12期366-372,共7页何素明戴珊珊罗向东张波王金斌; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB925604,2011CB922004);中国博士后科学基金(批准号:20110490075)资助的课题~~; 研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30...; 关键词：氮氧化硅等离子体增强化学气相沉积背面钝化晶硅太阳能电池

氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响: 《人工晶体学报》2013年第12期2525-2531,共7页李天微张建军曹宇倪牮黄振华赵颖; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家自然科学基金(61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金资助;天津市重大科技支撑计划项目(11TXSYGX22100); 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si1-x Ge x∶H)薄膜。结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量...; 关键词：微晶硅锗薄膜等离子体增强化学气相沉积 He稀释

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量：2: 《物理学报》2010年第10期7239-7244,共6页袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002;50706022;60977022);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800;2006CB921106)资助的课题~~; 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设...; 关键词：抗反膜等离子体增强化学气相沉积二氧化硅/氮化硅多层膜

单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池性能优化的研究: 《物理学报》2010年第2期1344-1348,共5页张晓丹孙福和许盛之王光红魏长春孙建侯国付耿新华熊绍珍赵颖; 国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436; 2009AA050602);天津市科技支撑计划(批准号:08ZCKFGX03500);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60976051);科技部国际合作计划(批准号:2006DFA62390; 2006DFA62580);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0295)资助的课题~~; 采用原位的氢等离子体处理技术和微晶覆盖技术来降低单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池中的硼污染问题.通过对不同处理技术所制备电池的电流密度-电压和量子效率测试结果的比较发现,一定的氢处理时间和合适的覆盖层技术都可以在一定程...; 关键词：单室微晶硅太阳电池等离子体增强化学气相沉积

腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响被引量：1: 《科技导报》2009年第20期19-21,共3页张鹤戴志华张晓丹魏长春孙建耿新华赵颖; 国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金项目(60506003);国家科技计划配套项目(07QTPTJC29500); 考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%～80%),由不同探...; 关键词：微晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积工艺漂移硅粉末

高光提取效率的倒装GaN基LED的研究: 《中国科学（F辑:信息科学）》2009年第9期1021-1026,共6页达小丽沈光地徐晨邹德恕朱彦旭张剑铭; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划(批准号:05002015200504)资助项目; 为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,...; 关键词：氮化镓发光二极管 SiO₂/SiN_x 多层介质膜高反镜等离子体增强化学气相沉积

大面积PECVD平行板电极间电势差分布均匀性数值研究: 《真空》2009年第2期11-14,共4页葛洪张晓丹赵静赵颖; 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2006CB202602和2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);南开大学博士启动基金(批准号:J02031);科技部国际合作重点项目(批准号:2006DFA62390);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436);教育部新世纪人才计划(批准号:60506003NCET)资助的课题; 应用二维准平面电路模型对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)大面积平行板电极间电势差分布均匀性进行了数值研究。计算结果表明:在等离子体存在的条件下,电极间电势差分布非均匀性与真空下相比大大增加,电极间的电势驻波效应显著增强,...; 关键词：等离子体增强化学气相沉积电势驻波效应波长衰减因子

掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究被引量：2: 《真空科学与技术学报》2009年第2期119-124,共6页李喆张溪文韩高荣; 国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613403)(973计划);浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项(No.2006C11118);高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(No.705026); 本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增...; 关键词：等离子体增强化学气相沉积纳米非晶硅硼掺杂掺杂比光学带隙

高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1: 《人工晶体学报》2007年第3期646-649,686,共5页杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健; The project supported by the National Basic Research Program(No.2006CB202601)(973 Program); 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或...; 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜高气压高速沉积微观结构

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

等离子体增强

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

等离子体增强

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索