等离子增强化学气相沉积

作品数：61被引量：196H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：王如志张跃飞王海燕靳锐敏陈永生更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学西安交通大学郑州大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 学科=电子电信—物理电子学x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
减反射膜仿真优化与制备被引量：2
《光学技术》2021年第1期28-30,共3页李攀 朱良秋 卢宏 
利用有限时域差分方法设计并优化了由二氧化硅和氮化硅组成的双层和三层减反射膜,在1550nm波长附近实现减反射效果。采用等离子增强化学气相沉积高质量的二氧化硅和氮化硅薄膜,制备了氧化硅、氮化硅双层减反射膜,同时制备了氮化硅、氧...
关键词：薄膜光学 减反射膜 有限时域差分 等离子增强化学气相沉积 
基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化
《液晶与显示》2020年第3期219-226,共8页吕艳明 操彬彬 栗芳芳 安晖 叶成枝 李法杰 杨增乾 彭俊林 冯耀耀 刘增利 陆相晚 李恒滨 
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HAD...
关键词：高开口率高级超维场转换技术 有机膜 等离子增强化学气相沉积 干法刻蚀 
PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究被引量：10
《光学仪器》2019年第3期81-86,共6页李攀 张倩 夏金松 卢宏 
国家自然科学基金(61335002)
为了制备高质量氮化硅薄膜,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行氮化硅的气相沉积,讨论了工艺参数对薄膜性能的影响,验证设备工艺均匀性和批次间一致性。通过高低频交替生长低应力氮化硅薄膜,并检测薄膜应力,对工艺进行了优化,探...
关键词：半导体材料 氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 
电极和匀气盘结构对PECVD氮化硅薄膜性能的影响
《微纳电子技术》2017年第10期699-705,共7页韩东 牛文举 尹伊君 韩建强 
国家自然科学基金资助项目(61376114;51377025)
在衬底温度为400℃、射频功率为20 W的条件下,通过改变SiH_4和NH_3的体积流量比、电极(圆环和平板电极)和匀气盘结构,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备出不同成分的氮化硅薄膜,测量了薄膜的淀积速率、残余应力以及在HF溶液和...
关键词：氮化硅薄膜 残余应力 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 电极结构 KOH腐蚀 
高效径向结纳米线太阳能电池的制备工艺研究被引量：2
《电子世界》2016年第13期194-195,共2页孙肖林 李路 丁臻昱 王天驰 
本文利用纳米线结构构建了径向结非晶硅薄膜太阳能电池,充分发挥了径向结结构"陷光效应"、共振耦合、降低衰减等优势,并对传统的平面结构的太阳能电池制备工艺加以改进,制备出高效径向结硅纳米线太阳能电池。
关键词：径向结 太阳能电池 金属热蒸发 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 半导体透明导电膜ITO蒸镀 
氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响被引量：4
《人工晶体学报》2015年第12期3449-3454,共6页乌仁图雅 周炳卿 张林睿 高爱明 张娜 
国家自然科学基金(51262022);内蒙古师范大学"十百千"人才工程资助项目(RCPY-2-2012-K-041)
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H...
关键词：等离子增强化学气相沉积 富硅-氮化硅薄膜 非晶硅量子点 光致发光 
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
《中国科技论文》2015年第4期420-423,共4页周桂林 张金城 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项资助项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷...
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压 
GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究被引量：1
《激光与光电子学进展》2015年第3期186-192,共7页吴涛 江先锋 
国家863计划;苏州市科技发展技术项目(SH2014024)
为了获得应用于AlGaAs激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）低温条件下在GaAs衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜（AFM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）等技术对薄膜残余应力、...
关键词：激光器 等离子增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 低温 残余应力 表面粗糙度 
栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善被引量：6
《真空科学与技术学报》2012年第11期991-995,共5页张金中 张文余 谢振宇 陈旭 闵泰烨 
在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉...
关键词：栅极绝缘层 氢化非晶硅 界面处理 TFT特性 等离子增强化学气相沉积 
流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
《压电与声光》2010年第4期634-637,641,共5页黎威志 陶毅 亢喆 许华胜 余欢 
电子科技大学青年科技基金资助项目(jx0838)
研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响。结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比...
关键词：氮化硅 低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD) 密度 应力 红外光谱 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部