大信号

作品数：521被引量：736H指数：13
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一种用于大信号测试的矢量校准快速修正方法被引量：3
《半导体技术》2019年第8期652-658,共7页苏江涛 郭庭铭 刘军 许吉 郑兴 
国家自然科学基金资助项目(61727804,61701147,61827806,61871161);浙江省自然科学基金资助项目(LY17F010016,LY17F010017,LZ17F010001);电子测试技术重点实验室开放基金项目(614200101010517)
大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法...
关键词：GAN器件 负载牵引 矢量校准 直通-反射-匹配负载(TRM)校准技术 矢量网络分析仪(VNA) 
SiGe HBT小信号和大信号建模与分析被引量：3
《半导体技术》2016年第7期520-526,共7页孟煜晗 何庆国 
基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,...
关键词：SIGE 异质结双极晶体管(HBT) 建模 大小信号 参数提取 
GaAs HEMT开关器件的大信号模型被引量：2
《半导体技术》2016年第6期446-450,480,共6页刘亚男 杜光伟 胡志富 孙希国 崔玉兴 
为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源...
关键词：GAAS HEMT 开关 大信号 模型 
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型被引量：1
《半导体技术》2015年第12期904-910,共7页陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特...
关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言 
基于GaAsPHEMT的6～10GHz多功能芯片被引量：8
《半导体技术》2014年第2期103-107,共5页徐伟 吴洪江 魏洪涛 周鑫 
介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。...
关键词：多功能芯片(MFC) 砷化镓 赝高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 大信号模型 
GaAs大功率器件内匹配技术研究被引量：2
《半导体技术》2010年第8期780-783,共4页邱旭 
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用。通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参...
关键词：内匹配技术 大功率 砷化镓场效应晶体管 大信号模型 
基于神经网络的HEMT大信号模型
《半导体技术》2010年第4期329-332,336,共5页刘新 杨克武 吴洪江 
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样...
关键词：大信号模型 人工神经网络 高电子迁移率晶体管 非线性元件 
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
《半导体技术》2008年第12期1112-1114,共3页张志国 冯震 武继宾 王勇 蔡树军 杨克武 
国家重点实验室基金项目(9140C0605010702)
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时...
关键词：GAN 微波单片集成电路 大信号模型 输出功率 
改进了渡越时间方程的InP DHBT模型
《半导体技术》2008年第S1期12-14,27,共4页葛霁 金智 程伟 苏永波 刘新宇 
建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。从HBT电荷方程出发,首先给出了InP DHBT的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡...
关键词：磷化铟DHBT 大信号模型 基于测试的渡越时间方程 
功率PHEMT器件大信号建模
《半导体技术》2008年第S1期15-20,共6页刘军 孙玲玲 吴颜明 
GaAs微波毫米波单片和模块电路国家重点实验室(9140C1402030803)
提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现...
关键词：GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号 模型 VERILOG-A ADS2005A 
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