势垒

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钨触点改善了GaN二极管
《半导体信息》2021年第1期15-16,共2页
采用钨制触点替代GaN肖特基势垒二极管中的传统触点可降低接通电压通过采用钨触点﹐中国西安电子科技大学的研究人员能够改善具有垂直几何结构的GaN肖特基势垒二极管的性能。工程师们声称,对于具有100V或更高击穿电压的此类二极管的变体...
关键词：肖特基势垒二极管 击穿电压 GAN 西安电子科技大学 工程师们 触点 几何结构 钨 
Microchip推出最新一代汽车用700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)
《半导体信息》2020年第6期6-7,共2页
汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)近日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒...
关键词：DC/DC转换器 电源技术 系统设计人员 MICROCHIP 质量标准 
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
《半导体信息》2018年第6期4-6,共3页
美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm^-2。
关键词：肖特基势垒二极管 氧化镓 低泄漏 美国康奈尔大学 管具 沟槽 漏电流密度 泄漏电流 
美高森美继提供下一代1200V SiC MOSFET样品和700V肖特基势垒二极管器件
《半导体信息》2018年第3期14-15,共2页
美高森美公司（Microsemi）下季初扩大其碳化硅（SIC）MOSFET和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200V、25mOhm和80mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700V、50A肖特基势垒二极管（SBD）和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在...
关键词：MOSFET器件 肖特基势垒二极管 SIC 样品 产品组合 电力电子 展览中心 碳化硅 
美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD产品
《半导体信息》2018年第2期6-7,共2页
美高森美公司（Microsemi）宣布提供下一代1200V碳化硅（sic）MOSFET系列的首款产品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 VSiC肖特基势垒二极管（SBD），进一步扩大旗下日益增长的SiC分立器件和模块产品组合。
关键词：产品组合 SIC MOSFET 汽车市场 SBD 肖特基势垒二极管 工业 瞄准 
Littelfuse超低正向电压降肖特基势垒整流器优于传统开关二极管
《半导体信息》2016年第3期24-25,共2页
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅（Si C）肖特基二极管。
关键词：肖特基二极管 正向电压 肖特基势垒 Littelfuse 功率二极管 开关二极管 功率半导体 电路保护 结温 正向压降 
Littelfuse新型功率半导体性能优于传统开关二极管
《半导体信息》2016年第2期9-10,共2页
电路保护领域的全球领导者力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列：MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于硅肖特基二极管技术的最新器件；DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度。
关键词：开关二极管 半导体性能 功率 肖特基二极管 传统 肖特基势垒 半导体产品 电路保护 
Vishay推出新款汽车和商业应用型SMD肖特基势垒整流器
《半导体信息》2016年第2期16-16,共1页
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出6颗采用超薄DO-219AB（SMF）封装的表面贴装肖特基势垒整流器——SS1FL3、SS2FL3、SS1FL4、SS2FL4、SSIFH10和SS2FH10。VishaySemiconductors SSIFL3、SS2FL3、SSIFL4、SS2FL4、SSIFH10和...
关键词：肖特基势垒 整流器 SMD 应用型 商业 汽车 表面贴装 反向电压 
日本松下公司抑制常关态氮化镓晶体管的电流崩塌可达800V
《半导体信息》2015年第6期20-20,共1页科信 
日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒层沉积p型氮化镓形成。两个漏极区域连接。研究人员认为其应...
关键词：氮化镓 日本松下公司 漏极 直流测试 势垒层 功率开关 导通电阻 阈值电压 击穿电压 外延层 
Quaternary四元素组成的Ⅲ-氮化物势垒层推动二维电子气发展
《半导体信息》2015年第6期20-22,共3页科信 
法国研究者近日称在III-氮化物半导体结构中实现了二维电子气的最佳性能。来自电子、微电子和纳米技术研究院(IEMN)和Thales Research and Technology的研究团队认为基于更高功率密度、更高热导性能、一定频率范围内效率不断提升且宽带...
关键词：二维电子气 QUATERNARY 势垒层 太空探索 纳米技术研究 最佳性能 军用领域 氮化镓 热导性 内效率 
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