淀积

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我国首次制备大规模石墨烯 助推半导体工业
《半导体信息》2013年第5期18-18,共1页江安庆 
据从中科院上海微系统所获悉,该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组,采用化学气相淀积法,在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、高质量单层石墨烯。相关成果日前发表于《自然》杂志子刊《科学报告》。石墨烯在机械、电...
关键词：石墨烯 上海微系统 半导体工业 直接制备 化学气相沉积 金属基底 化学气相淀积 功能材料 半导体工艺 
英国质量计量设备厂商和Intel,IMEC合作开发20纳米节点半导体工艺
《半导体信息》2011年第4期17-17,共1页沈熙磊 
英国质量计量设备厂商Metryx日前正式加入一项由欧洲厂商主导的半导体设备创新发展评估项目,在此合作框架下,Metryx将和Intel,IMEC等展开深入合作,为20纳米节点半导体工艺开发提供高精度质量计量技术和设备。
关键词：计量设备 半导体工艺 Intel IMEC 质量计量 评估项目 光刻胶 工艺步骤 参杂 淀积 
混合生长法提高栅氧化物质量
《半导体信息》2009年第1期10-11,共2页陈裕权 
关键词：原子层淀积 外延炉 外延反应炉 电炉 质量 
采用低压生长设备提高4 H-SiC的生长速率
《半导体信息》2008年第5期27-27,共1页陈裕权 
关键词：H-SiC 生长速率 淀积 优质材料 配电系统 工作电压 工业公司 高压输电 
AFRL开发出首只GaN/金刚石HEMT
《半导体信息》2006年第6期24-25,共2页陈裕权 
关键词：GAN AFRL HEMT 外延层 外延结构 输出功率 MOCVD 欧姆接触 化学汽相淀积 功率密度 
世界上首块GaN/金刚石晶片
《半导体信息》2006年第4期32-33,共2页陈裕权 
关键词：GAN 化学汽相淀积 原子级 新型半导体 有源区 微波毫米波 白光照明 外延生长 军事用途 功率密度 
星团式MBE设备延长摩尔定律进程
《半导体信息》2006年第4期36-37,共2页陈裕权 
关键词：摩尔定律 MBE 半导体材料 淀积 半导体器件 分子束外延 半导体制造 半导体研究 研究计划 意法半导体 
诺发推出业界首套用于90nm以下工艺介电材料处理的UVTP
《半导体信息》2006年第3期22-23,共2页刘广荣 
关键词：介电材料 UVTP nm 硅化镍 淀积 氮化硅薄膜 薄膜材料 PECVD 等离子体增强 消费电子产品 
东京理工学院制造出InGaZnO透明半导体
《半导体信息》2006年第1期32-33,共2页陈裕权 
关键词：INGAZNO 电子纸 挠性 无定形硅 显示设备 计算机芯片 载流子迁移率 制造工艺 淀积 随机排列 
金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件
《半导体信息》2005年第4期21-21,共1页陈裕权 
英国阿斯科特的Element Six公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着。
关键词：GAN SIC器件 微波器件 德国乌尔姆大学 化学汽相淀积 MESFET 器件技术 前期性 斯科特 相控阵雷达 
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