淀积

作品数：765被引量：1095H指数：13
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沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化
《半导体技术》2018年第7期534-539,共6页汤光洪 高周妙 罗燕飞 李志栓 周燕春 
采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCV...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比 
基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比
《半导体技术》2017年第12期902-907,共6页高楠 房玉龙 尹甲运 刘沛 王波 张志荣 郭艳敏 顾国栋 王元刚 冯志红 蔡树军 
使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析。通过原子力显微镜(AFM)、高分辨率X射线双晶衍射仪(HR-XRD)和二次离...
关键词：金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 形核层 泄漏电流 陷阱 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
GaAs平面掺杂势垒二极管
《半导体技术》2017年第1期27-31,共5页张宇 车相辉 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 
二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOC...
关键词：平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度 
低阈值980nm单模半导体激光器被引量：2
《半导体技术》2016年第3期210-214,共5页赵润 宁吉丰 车相辉 蒋红旺 陈宏泰 
通过数值模拟和实验手段相结合的方法,优化了980 nm单模半导体激光器结构。给出了一种通过计算脊波导单模激光器的光场和电流场的匹配关系来预测芯片阈值电流变化规律的方法。采用金属有机物化学气相淀积方法生长了带有腐蚀停止层的Al G...
关键词：激光二极管 单模 脊波导 腐蚀停止层 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 
HDP介质淀积引起的新天线效应及损伤机理被引量：3
《半导体技术》2015年第12期921-924,共4页黄红伟 杭弢 李明 
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与栅氧化层无关的天线效应。结果...
关键词：天线效应 高密度等离子体(HDP) 失效分析 模拟集成电路 设计规则 
热壁LPCVD设备TEOS工艺炉管的使用与维护被引量：2
《半导体技术》2012年第10期786-789,共4页吴海 
通过介绍热壁LPCVD的TEOS工艺淀积SiO2薄膜的原理,分析了在淀积薄膜的过程中经常遇到的薄膜均匀性等方面的问题。重点分析了硅片中心与石英管轴心所处的相对位置对片内薄膜均匀性的影响关系、石英舟的位置以及恒温区的温度控制对片间均...
关键词：热壁 淀积 薄膜 均匀性 维护 
4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术被引量：1
《半导体技术》2012年第4期280-283,共4页付兴昌 潘宏菽 
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用...
关键词：碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学气相淀积 S波段 
TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用
《半导体技术》2011年第6期439-442,共4页胡玲 杨霏 商庆杰 潘宏菽 
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,...
关键词：低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅 
SiC MESFET反向截止漏电流的研究被引量：4
《半导体技术》2010年第8期784-786,共3页崔现锋 潘宏菽 
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和...
关键词：反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体管 氧化 低压化学气相淀积 
OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究
《半导体技术》2009年第10期998-1001,共4页黄祖炎 韦欣 王青 宋国峰 
国家自然科学基金重点项目(60636030)
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较...
关键词：垂直外腔面发射激光器 金属有机化合物气相淀积 反射谱 纵向增强因子 
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