自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
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基于场路耦合的大功率IGBT多速率电热联合仿真方法被引量：23
《电工技术学报》2020年第9期1952-1961,共10页贾英杰 肖飞 罗毅飞 刘宾礼 黄永乐 
国家自然科学基金重大项目(51490681);国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2015CB251004)资助。
IGBT模块在以短路为代表的非周期过载极端工况中,其自热效应明显。由于高压、大电流等外载荷的冲击,IGBT的温度会在短时内迅速升高,进而影响IGBT芯片的半导体特性以及封装结构的材料特性,并最终直观表现为模块端口电气特性的变化。此时...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 自热效应 极端工况 场路耦合 联合仿真 
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
《中国科学：信息科学》2014年第7期912-919,共8页冯慧 安霞 杨东 谭斐 黄良喜 武唯康 张兴 黄如 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CBA00601);国家自然科学基金(批准号:60836004;60806033;60925015);国家科技重大专项(02专项)资助
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINM...
关键词：自热效应 热载流子注入效应 热电阻 SOI 寿命预测 
一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期13-15,75,共4页王林 王燕 
国家重点基础研究专项基金资助项目(2010CB327504)
当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 自热效应 等效电路 大信号模型 
基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制
《电子器件》2007年第3期738-740,共3页陈晓娟 李诚瞻 刘新宇 罗卫军 
国家973计划"新一代化合物半导体电子器件与电路研究"资助项目(2002CB311903);中国科学院创新资助项目(KGCX2-SW-107)
本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,...
关键词：SIC ALGAN/GAN HEMT 自热效应 外延材料 
蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT自热效应研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期290-293,共4页杨燕 郝跃 
国家重大基础研究(973)项目;预先研究项目支持研究项目(批准号:41308060106)
建立了包含“自热效应”的A lG aN/G aN HEM T(高电子迁移率晶体管)直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对A lG aN/G aN HEM T器件的影响,并同已有的实验结果进行了对比,符合较好。证明基于这种模型的理论分析适于A lG aN/...
关键词：氮镓铝/氮化镓 高电子迁移率晶体管 自热效应 
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量：2
《电子器件》2004年第4期559-563,共5页周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目 ( 2 0 0 3 CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金 ( 2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 )
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul...
关键词：热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型 
DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第7期1005-1008,共4页林羲 董业民 何平 陈猛 王曦 田立林 李志坚 
国家自然科学基金资助项目(59995550-1);国家重点基础研究专项经费(G2000036501)
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成...
关键词：DSOI SOI 体硅MOSFET 特性测量 绝缘体上硅 绝缘体上漏源 自热效应 浮体效应 场效应器件 
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