量子线

作品数：223被引量：253H指数：7
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解理面预处理方法对二次外延的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期544-548,共5页张春玲 唐蕾 徐波 陈涌海 王占国 
国家自然科学基金((批准号:60390071;60276014;90101004);国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)资助项目~~
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法...
关键词：分子束外延 量子线 表面结构 
抛物量子线中极化子的温度依赖性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期54-57,共4页丁朝华 赵翠兰 肖景林 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10347004)
研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体...
关键词：极化子 有效质量 光学声子平均数 温度效应 
一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1191-1196,共6页邵雪 余志平 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502)~~
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显...
关键词：非平衡态 准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解 
半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理被引量：5
《Journal of Semiconductors》2002年第9期925-929,共5页刘建军 苏会 杨国琛 
河北省自然科学基金 (No.199181);河北省教育厅自然科学基金 (No.2 0 0 10 4)资助项目~~
利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值 .计算结果表明 :的确存在一个参数 (杂质有效玻尔半径 )可用来完全确定束缚能的值 ,而不必考虑截面的形状和尺寸 ;体系的维里定理值并不等于常数 ,而是随杂...
关键词：杂质束缚能 度规法则 维里定理 量子阱 量子线 
GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
《Journal of Semiconductors》1998年第11期871-876,共6页牛智川 袁之良 周增圻 徐仲英 王守武 
国家自然科学基金
本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．
关键词：砷化镓 光致发光谱 量子线 管 发光特性 
阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
《Journal of Semiconductors》1998年第1期72-75,共4页陈效双 万明芳 刘兴权 窦红飞 陆卫 沈学础 
本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子线荧光的影响．通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等，从而减小量子线非辐射...
关键词：砷化镓 镓铝砷化 阳极氧化 量子线 荧光 
SiO_2全封闭的硅量子线列阵
《Journal of Semiconductors》1995年第10期798-800,共3页施毅 刘建林 汪峰 张荣 韩平 余是东 张学渊 顾书林 胡立群 茅保华 郑有 
国家"863"高技术;攀登计划;国家自然科学基金
采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以...
关键词：二氧化硅 硅 量子线 化合物半导体 
用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第4期289-294,T001,共7页钱毅 郑婉华 郑联喜 张霞 胡雄伟 陈良惠 王启明 
国家自然科学基金
本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同的选择性．这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层...
关键词：半导体材料 MOCVD 量子阱 外延生长 
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