漏电流

作品数：1198被引量：2168H指数：19
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忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展
《微电子学》2022年第6期1016-1026,共11页谭翊鑫 何慧凯 
浙江省“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01098)
忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一...
关键词：忆阻器 漏电流 1T1R 1S1R 1D1R 
一种低触发电压的两级防护SCR器件
《微电子学》2022年第1期104-108,共5页张英韬 朱治华 范晓梅 毛盼 宋彬 许杞安 吴铁将 陈睿科 王耀 刘俊杰 
国家自然科学基金资助项目(61874098)。
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,...
关键词：ESD SCR 两级防护 触发电压 漏电流 
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究被引量：2
《微电子学》2021年第3期429-433,共5页吴昱操 罗萍 蒋鹏凯 
预研资助项目(1126190601A)。
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;...
关键词：8型栅NMOS 辐射总剂量 几何尺寸 关态漏电流 饱和漏极电流 阈值电压 
一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构
《微电子学》2021年第1期116-120,共5页高闻浩 孙启明 冉晴月 简鹏 陈文锁 
模拟集成电路国家重点实验室基金项目(6142802200510);中央高校基本科研业务费项目(2020CDJ-LHZZ-076,2019CDXYDQ0009);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0272)。
提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证。与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层,将反向击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到肖特基势垒区域,提升了反向静...
关键词：肖特基势垒二极管 击穿电压 漏电流 正向导通压降 
0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理被引量：1
《微电子学》2020年第5期761-765,共5页麻仕豪 化宁 张亮 王茂森 王佳 
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 栅极漏电流 漏电机制 
一种基于0.18μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器被引量：1
《微电子学》2019年第6期807-811,共5页杨朋博 罗萍 肖皓洋 李博 凌荣勋 
采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5~1 MHz的抗辐照压...
关键词：压控振荡器 抗辐照设计 漏电流补偿 总剂量效应 
AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流传输机制与模型被引量：2
《微电子学》2019年第2期266-269,共4页任舰 苏丽娜 李文佳 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007;17KJB535001)
制备了一种势垒层为非掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)N的AlGaN/GaN肖特基二极管。通过拟合不同温度和应力时间下的电流数据,研究了该肖特基二极管的反向漏电流的传输机制和模型。研究表明,在不同温度下,ln(I/E)与E^(1/2)呈线性关系,电流由Frenk...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基二极管 漏电流 传输机制与模型 
粒子探测器读出电路漏电流自适应补偿结构
《微电子学》2018年第2期222-226,共5页刘兴 殷树娟 李翔宇 
国家自然科学基金资助项目(61604014);北京市优秀人才培养青年骨干项目(2014000020124G103)
在深亚微米工艺下,用于粒子探测器信号读出的电荷灵敏放大器(CSA)存在栅极漏电流,这不仅会增加噪声,还会影响CSA输出端的直流工作电压。对以反馈电流镜为基础的CSA输入漏电流补偿电路进行改进。采用基于电流匹配的自适应电流偏置方式,该...
关键词：粒子探测器读出电路 电荷灵敏放大器 漏电流补偿 自适应调节 
4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计
《微电子学》2014年第2期249-252,共4页苗志坤 陈光 左国辉 
室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压...
关键词：肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流 
一种降低高性能SRAM过大位线漏电流的方法
《微电子学》2013年第4期494-498,共5页刘其龙 丁夏夏 李瑞兴 吴秀龙 谭守标 
国家核高基资助项目(2011ZX01034-001-002-003)
随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势。高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生。特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋...
关键词：SRAM 位线漏电流 漏电流降低 位线自截断 
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