埋层

作品数：118被引量：155H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波朱慧珑李泽宏王曦时龙兴更多>>
相关机构：电子科技大学中国科学院上海华虹宏力半导体制造有限公司上海新傲科技股份有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
《半导体技术》2025年第2期134-140,共7页康怡 刘东 卢山 鲁啸龙 胡夏融 
四川省科技计划项目(2021YFQ0051)。
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数 
新型基区结构高反压功率晶体管的优化
《半导体技术》2019年第3期177-184,共8页杨宝平 江昆 黄锋 
国家自然科学基金资助项目(31660482);湖北省教育厅科学技术研究项目(B2018187)
依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V_((BR)CEO))和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功...
关键词：高增益 功率晶体管 埋层基区 终端保护 击穿电压 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
《半导体技术》2012年第4期271-275,共5页刘冬华 胡君 钱文生 陈帆 陈雄斌 段文婷 
国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入...
关键词：P-I-N二极管 锗硅异质结双极型晶体管 双极互补金属氧化物半导体 赝埋层 工艺和器件仿真 
用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)
《半导体技术》2010年第1期39-42,89,共5页徐翠芹 Popadic Milos Nanver L.K. 茹国平 
Shanghai-Applied Materials Research Development Fund(07SA06)
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺...
关键词：双边结 电容-电压 超浅结 
用于制造微波多芯片组件的LTCC技术被引量：9
《半导体技术》2008年第5期378-380,共3页边国辉 方一波 吴小帅 
低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势。介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTCC的制造工艺流程,分析了其关键工艺难点,对LTCC基板...
关键词：低温共烧陶瓷 通孔 埋层电阻 微波互联 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部