介质膜

作品数：228被引量：294H指数：7
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介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响
《半导体技术》2009年第5期449-451,481,共4页周瑞 冯震 李亚丽 王勇 张雄文 
GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,包括介质膜应力、折射率和表面预处理与器件饱和电流、电流...
关键词：介质膜 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面处理 折射率 电流崩塌 
三代微通道板记忆效应研究被引量：2
《半导体技术》2007年第7期598-601,共4页王益军 严诚 邓光绪 张正君 苏德坦 李周奎 
国家部委重点基金项目(4040505101B)
针对三代微通道板在制作像增强器中出现的电子记忆效应现象进行分析，指出记忆效应的产生机理是通道内壁表面的多孔介质膜（Pb0-A12O3-SiO2系铅铝硅酸盐玻璃）引起的自激发射。分析了多孔介质膜的结构和形成原因，提出了采用调整玻璃材...
关键词：介质膜 自激发射 微通道板 像增强器 
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
《半导体技术》2004年第6期71-75,共5页陈蒲生 刘剑 张昊 冯文修 
广东省自然科学基金项目(950186)
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室...
关键词：PECVD 等离子体增强化学汽相淀积 薄介质膜 击穿机理 电学性能 
PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析被引量：2
《半导体技术》2002年第7期73-76,共4页陈蒲生 张昊 冯文修 刘剑 刘小阳 王锋 
广东省自然科学基金资助项目
采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
关键词：PECVD法 SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分 电学性能 
纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究被引量：1
《半导体技术》2000年第1期42-45,共4页张昊 陈蒲生 田小峰 冯文修 刘小阳 
研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化;该方法对薄膜界面造成的损伤较小。
关键词：介质膜 电子注入 纳米级 VLSI 
DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性被引量：2
《半导体技术》1999年第6期20-23,28,共5页章晓文 陈蒲生 
广东省自然科学基金
采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工...
关键词：电学特性 SiOxNy薄介质膜 DLTS PECVD 
PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究被引量：4
《半导体技术》1997年第1期31-33,共3页王锋 陈蒲生 王川 刘小阳 田万廷 
国家自然科学基金与广东省自然科学基金资助课题
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜...
关键词：低温 PECVD法 介质膜 
优质Si_3N_4、SiO_2双层介质膜的研究被引量：1
《半导体技术》1997年第1期45-49,共5页李春瑛 张玉平 胡丹萍 刘士杰 
报导了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析手段对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果。
关键词：介质膜 PECVD 半导体器件 
应用高频C-V仪测量快速热氨化的SiO_xN_y膜电荷特性实验中若干问题的探讨
《半导体技术》1993年第1期58-61,共4页岑洁儒 陈蒲生 丁雄 
国家自然科学基金资助课题
本文提出了采用高频C-V仪测量快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷密度、可动离子密度的实验中不容忽略的两个问题:记录仪信号转换不同步时带来的高频C-V特性曲线记录失真;介质膜经过快速热氮化处理后介电系数的变化在数据处理中引起的计...
关键词：介质膜 测量 C-V仪 热氮化 实验 
介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进——垫高电压被引量：6
《半导体技术》1991年第4期49-52,共4页杨劲 陈蒲生 
国家自然科学基金
本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面小到10^(-1)_8cm^2的电子陷阱,且为介质膜的雪崩空穴注入提供...
关键词：介质膜 电荷陷阱 注入 垫高电压 
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