多孔硅

作品数：1081被引量：1221H指数：12
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：胡明贾振红李清山杨德仁邬建敏更多>>
相关机构：浙江大学中国科学院天津大学新疆大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第3期385-388,共4页崔梦 胡明 窦雁巍 宗扬 
国家自然科学基金资助项目(60071027);(60371030)
多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与...
关键词：微电子机械系统 多孔硅 热导率 显微拉曼 
基于微机械的多孔硅牺牲层技术被引量：4
《固体电子学研究与进展》2004年第1期73-76,116,共5页周俊 谢克文 王晓红 刘理天 
国家 973基础研究项目 (G19990 3 3 10 5 )
多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制...
关键词：多孔硅 牺牲层 微机电系统 薄膜淀积 掩膜材料 
多孔硅及其在MEMS中的应用被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第1期107-111,共5页马家志 胡明 田斌 张之圣 王博 
国家自然科学基金资助项目 (60 0 710 2 7) ;天津市自然科学基金项目 (0 2 3 60 3 811)
具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域...
关键词：多孔硅 MEMS 微机械加工 微电子机械系统 功能结构层 牺牲层材料 
背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用
《固体电子学研究与进展》1998年第4期420-424,共5页竺士炀 黄宜平 包宗明 
国防科技预研跨行业基金!项目号:94J8.4.4.JW0702
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅...
关键词：吸杂 多孔硅 氧离子注入隔离 绝缘体上硅 SOI 铜 
二氧化锡/多孔硅/硅光伏特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》1998年第1期43-48,共6页沈华 吴孙桃 朱文章 王延华 
国家和福建省自然科学基金
测量了二氧化锡（SnO2）／多孔硅（PS）／硅（Si）的光电压谱，分析表明：在SnO2／PS／Si材料中存在着两个异质结；当样品吸附还原性气体时，其光电压明显下降。当样品在1％液化石油气的氛围时（相对于空气），光电压减少了16．4％-27．...
关键词：光伏效应 气敏特性 多孔硅 
多孔硅中电子光跃迁过程的研究
《固体电子学研究与进展》1998年第1期27-37,共11页薛舫时 
国家自然科学基金
用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的各类电子状态。分析了各种状态的能带属性及其量子限制特性，从而解释了实验中观察到的量子限制态和非量子限制态。在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元，得出...
关键词：多孔硅 光跃迁 纳米发光材料 复合纳米材料 
多孔硅深能级谱的测试
《固体电子学研究与进展》1997年第2期178-183,共6页晁战云 唐洁影 汪开源 
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。
关键词：多孔硅 深能级谱 表面态 半导能带结构 
多孔硅反射谱的测量与分析
《固体电子学研究与进展》1997年第1期50-54,共5页晁战云 徐伟弘 唐洁影 江开源 
测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．
关键词：多孔硅 K-K关系 反射谱 半导体能带结构 
发光多孔硅微结构及其发光起源探讨被引量：1
《固体电子学研究与进展》1996年第4期331-335,共5页周咏东 金亿鑫 
用制备发光多孔硅样品的常规电化学方法，在未抛光多晶硅表面，成功地制备出了均匀地发射肉眼可分辨的可见光样品。样品的先致发光光谱得到了测定，证明是一种典型的多孔硅光致发光光谱。用扫描电镜对样品的表面形貌、截面结构进行了详...
关键词：多孔硅 光致发光 多晶硅 扫描电镜 
多孔硅吸收光谱的研究
《固体电子学研究与进展》1996年第4期412-416,共5页晁战云 唐洁影 汪开源 
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层，测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域，同单晶硅吸收光谱相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变，表现为一种新的能带结构特征。
关键词：多孔硅 吸收光谱 吸收系数 半导体能带结构 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部