单片集成

作品数：1069被引量：1273H指数：11
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太赫兹科学与电子信息学报
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1339-1355,共17页薛欣童 李战峰 张海涛 郝晓林 梁士雄 
太赫兹波在电磁波谱中处于独特位置,具有高频率、高带宽和高穿透性等特点,在通信、雷达、成像、传感、安检等领域具有广泛的应用前景。倍频器和混频器等变频器件是固态太赫兹系统的关键组成部分。肖特基二极管具有寄生参数低,工艺简单,...
关键词：肖特基二极管 化合物半导体 倍频器 混频器 太赫兹 单片集成电路 
基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期390-395,共6页张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 
固态微波器件与电路全国重点实验室基金开放课题项目(61428032204)。
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,...
关键词：太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管 
基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
《固体电子学研究与进展》2024年第5期396-400,共5页纪东峰 代鲲鹏 王维波 余旭明 
国家重点研发计划“智能传感器”重点专项项目(2023YFB3207801)。
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小...
关键词：三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术 
带有四次谐波回路的110GHz二倍频器
《微波学报》2024年第S1期105-108,共4页刘志成 周静涛 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 
在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS...
关键词：二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路 
7~13 GHz宽带高效率驱动放大器设计
《现代信息科技》2024年第5期73-76,80,共5页豆兴昆 李彬 谭小媛 蒋乐 叶坤 
基于0.25μm GaAs PHEMT工艺设计了一款7~13 GHz微波单片高效率驱动放大器。芯片采用两级级联拓扑结构,在输入级引入共源并联负反馈结构拓宽工作带宽,同时为兼顾输出功率和效率,在输出级引入等效RC模型拟合输出管芯的最优阻抗。基于等...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 驱动放大器 功率附加效率 并联负反馈 阻抗匹配 
基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
基于单片集成电路的180 GHz大功率倍频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第6期486-491,共6页郭艳敏 张立森 顾国栋 宋旭波 郝晓林 
随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力...
关键词：氮化镓 肖特基二极管 倍频器 大功率 单片集成电路 
基于GaAs工艺的Ku波段高增益低噪声放大器
《大众科技》2023年第7期1-5,共5页贾瑞林 王云秀 段寅龙 樊琴 
四川省教育厅重点项目(16ZA0172)。
文章采用0.13μm GaAs PHEMT工艺技术设计了一款MMIC低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器工作频段为13~17 GHz,采用了双电源供电的两级放大结构,偏置电路采用电感加并联电容的滤波结构来隔离直流信号与射频信号,在第二级放大器的栅极和漏...
关键词：GaAs PHEMT 微波单片集成电路 低噪声放大器 
带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计
《通信电源技术》2023年第5期23-26,共4页杨柳 
设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 
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