功率PHEMT

作品数：7被引量：5H指数：1
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紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1094-1097,共4页王闯 钱蓉 孙晓玮 
上海市科委基金(批准号:045115021);上海市新泰基金资助项目~~
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,...
关键词：功率PHEMT MMIC功率放大器 全芯片级电磁场仿真 
新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
《Journal of Semiconductors》2004年第4期454-457,共4页陈震 和致经 魏珂 刘新宇 吴德馨 
设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 PHEMT器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 PHEMT器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m...
关键词：PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压 
Ku波段10W功率PHEMT
《固体电子学研究与进展》2003年第1期42-44,50,共4页陈堂胜 杨立杰 周焕文 李拂晓 陈效建 
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 ...
关键词：KU波段 功率PHEMT 内匹配 赝配高电子迁移率晶体管 固态功率放大器 
Ka波段功率PHEMT的设计与研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》1999年第3期266-273,共8页郑雪帆 陈效建 高建峰 王军贤 
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ...
关键词：场效应晶体管 PHEMT 异质结 毫米波 设计 
AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果被引量：4
《固体电子学研究与进展》1995年第2期133-141,共9页陈效建 刘军 郑雪帆 
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、...
关键词：功率PHEMT CAD 异质结 双平面掺杂 
双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率PHEMT
《固体电子学研究与进展》1994年第3期289-290,共2页陈效建 刘军 李拂晓 郑雪帆 华培忠 
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥Ｃｈｅｎ...
关键词：异质结器件 掺杂 镓铅砷 PHEMT 
功率PHEMT的直流特性研究
《半导体情报》1994年第4期12-16,共5页贾海强 王长河 李效白 
描述了高电子迁移率晶体管的作用、工作原理及发展概况，叙述了器件特性。制作出了栅长为１μｍ的ＰＨＥＭＴ样品，它的最大跨导为１７０ｍＳ／ｍｍ，击穿电压为４Ｖ，最大电流密度为２７０ｍＡ／ｍｍ，阈值电压为１．５Ｖ。
关键词：PHEMT 功率晶体管 直流特性 
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