MMIC功率放大器

作品数：19被引量：38H指数：3
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2~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第8期1054-1058,1064,共6页邬佳晟 蔡道民 
国家核心器件资助项目(2017ZX03001024)。
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配...
关键词：紧凑 功率附加效率 宽带 增益 微波单片集成电路 
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
《微电子学》2022年第6期961-966,共6页张盼盼 王德勇 张金灿 王金婵 刘敏 刘博 
国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049);河南省科技攻关项目(212102210286)
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F^(-1))类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构。首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度。其次,为了解决寄生参数对F^(-1)...
关键词：逆F类 GaN HEMT MMIC 功率附加效率 
C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器被引量：3
《半导体技术》2021年第2期124-128,共5页乔明昌 张志国 王衡 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX03001024)。
基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消...
关键词：C波段 GaN HEMT 功率附加效率(PAE) 线性 单片微波集成电路(MMIC) 
26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制被引量：2
《半导体技术》2019年第2期94-98,120,共6页董毅敏 蔡道民 高学邦 邬佳晟 汪江涛 谭仁超 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX03001024)
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络...
关键词：氮化镓(GaN) 单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA) 负载调制 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
KU波段GaN MMIC功率放大器的研究被引量：3
《电子器件》2018年第5期1141-1144,共4页孙嘉庆 郑惟彬 钱峰 
测试验证了谐波的源端阻抗对于器件的性能以及输出特性有很大的影响,所以基波匹配中不能忽视谐波的影响。基于此研制了一款采用0.25μm工艺GaN功率MMIC 12 GHz^17 GHz放大器芯片,源端加入了谐波控制的部分。后期通过管壳测试以及后仿真...
关键词：GAN MMIC KU波段 阻抗匹配 负载牵引 谐波 
MMIC功率放大器中末级合成电路设计研究被引量：3
《遥测遥控》2017年第3期66-72,共7页贾建鹏 史磊 祝大龙 刘德喜 
采用100nm AlGaN/GaN HEMT工艺,以尺寸为90μm×8的GaN HEMT作为末级晶体管,研究可工作于Ku波段的功放MMIC末级四路合成电路。选择ADS Momentum作为仿真工具,设计两种末级合成电路,并提出一种改进幅度一致性的设计方法。对两种合成电路...
关键词：功率合成 MMIC ADS MOMENTUM 簇丛式 Bus-bar 
W波段InP HEMT MMIC功率放大器被引量：6
《半导体技术》2016年第4期267-270,275,共5页冯威 刘如青 胡志富 魏碧华 
基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件的超深亚微米T型栅,并采用神经网络模型对器件进行精确建模。...
关键词：W波段 功率放大器 INP HEMT 微波单片集成电路(MMIC) 神经网络 
2～4GHz GaN MMIC功率放大器被引量：4
《半导体技术》2013年第6期429-432,437,共5页刘文杰 高学邦 
相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现。采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了一种2～4 GHz GaN微波单片集成功率放大器,达到了与GaAs大栅宽...
关键词：氮化镓 微波单片集成电路(MMIC) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 宽带 功率放大器 
高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制被引量：2
《半导体技术》2012年第7期513-516,共4页崔玉兴 王民娟 付兴昌 马杰 倪涛 蔡树军 
突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及...
关键词：功率放大器 器件模型 氮化镓 X波段 单片微波集成电路 
PHEMT MMIC功率放大器设计与实现
《现代电子技术》2009年第7期171-173,共3页黄晓俊 邢凌燕 
介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案。方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点。将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 功率放大器 增益 
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