硅单晶

作品数：599被引量：633H指数：11
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硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型被引量：3
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2019年第3期1-6,共6页关小军 关宇昕 王善文 
高等学校博士学科点专项科研基金项目（200804220021）;山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题（KF1303）
为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡...
关键词：仿真 硅单晶圆片 V-O2对 建模 相场理论 
拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟被引量：1
《功能材料》2015年第20期20112-20116,共5页于新友 关小军 曾庆凯 王进 张向宇 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助项目(KF1303)
为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随...
关键词：直拉法 硅单晶 空洞 拉速 数值模拟 
直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟被引量：3
《人工晶体学报》2015年第5期1207-1212,共6页关小军 王进 张向宇 曾庆凯 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律。结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基...
关键词：硅单晶 直拉法生长 相场模拟 双空洞 长大动力学 
热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟被引量：15
《人工晶体学报》2014年第4期771-777,共7页张向宇 关小军 潘忠奔 张怀金 曾庆凯 王进 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底...
关键词：直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力 
铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响
《物理学报》2012年第1期310-317,共8页王永志 徐进 王娜婷 吉川 张光超 
国家自然科学基金(批准号:50902116;50832006);福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划;硅材料国家重点实验室开放基金项目(批准号:SKL2009-11);福建省重大平台建设基金(批准号:2009J1009)资助的课题~~
研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.高三步洁净区生成热处理样品中,第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布...
关键词：直拉单晶硅 铜沉淀 洁净区 
氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定被引量：2
《中国有色金属学报》1996年第2期42-44,共3页谢书银 石志仪 
硅材料国家重点实验室基金
提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１－１及１０２７ｃｍ－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ－１峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为...
关键词：硅 氮 红外吸收光谱法 硅单晶 含量 
电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
《电子科学学刊》1995年第3期334-336,共3页丁扣宝 张秀淼 石国华 孙勤生 施建青 
高纯硅国家重点实验室基金
本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
关键词：电子辐射 微氮直接硅单晶 深能级 
滚圆对硅单晶机械强度的影响
《半导体技术》1995年第2期46-48,共3页谢书银 石志仪 
高纯硅国家重点实验室基金
通过测定滚圆前后硅片强度变化，并结合扫描电镜观察，研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗弯强度的影响，提出了消除影响使强度恢复的简便方法。
关键词：滚圆 硅单晶 机械强度 
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