反应离子

作品数：373被引量：643H指数：11
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王跃林徐秋霞李昕欣殷华湘丁桂甫更多>>
相关机构：中国科学院上海交通大学清华大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 学科=自动化与计算机技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
《压电与声光》2024年第4期505-510,共6页郝一鸣 雷程 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金资助项目(YDZJSX20231B006);山西省重点研发计划资助项目(202302030201001)。
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜...
关键词：双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌 
近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
《电子技术（上海）》2021年第11期1-4,共4页曲鹏程 陈清华 吴琼瑶 廖乃镘 岳志强 廖晓航 刘昌林 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109600)
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应...
关键词：背照CCD 近红外增强 反应离子刻蚀 黑硅 
用镜头抓住秋天的尾巴玩转富士X-T4快速反应离子炮
《人像摄影》2020年第12期164-167,共4页金骏勇(摄影) 
X-T4是X系列的巅峰之作,无论是拍摄静态图片还是视频都能提供优异性能。X-T4使用背照式2610万像素“X-Trans CMOS 4”传感器和离速图像处理引擎“X-Processor 4”。并且拥有X系列相机有史以来最快的自动对焦性能,得益于新算法的开发,摄...
关键词：静态图片 防抖 视频拍摄 快速反应 T4 
MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究被引量：3
《传感技术学报》2016年第2期202-207,共6页何凯旋 黄斌 段宝明 宋东方 郭群英 
分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将...
关键词：MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法 
Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用被引量：1
《传感技术学报》2013年第2期191-194,共4页常洪龙 周平伟 谢建兵 杨勇 谢中建 袁广民 
国家自然科学基金项目(61273052);安全技术交通行业重点实验室开放课题项目
深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应...
关键词：MEMS风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀 
解耦z轴微机械陀螺的研制被引量：4
《光学精密工程》2011年第9期2123-2130,共8页周浩 苏伟 刘显学 唐海林 
国防预研基金资助项目
提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了...
关键词：微机械陀螺 机械解耦 反应离子深刻蚀 
微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应被引量：2
《传感技术学报》2010年第8期1070-1074,共5页冷悦 焦继伟 张颖 顾佳烨 颜培力 宓斌玮 
国家自然科学基金项目资助(60772030;60876079)
在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱...
关键词：MEMS陀螺 深反应离子刻蚀 非对称结构 局域掩膜效应 模态失配 
STS为韩国NIA安装Pegasus DRIE设备
《微纳电子技术》2009年第4期255-255,共1页
表面技术系统股份有限公司（STS）是等离子体处理技术（用于MEMS和先进电子器件制造和封装）的领头羊，它宣布已为韩国国家信息社会局（NIA）安装了两个VPX Pegasus设备。这些硅刻蚀设备将被广泛地用于深反应离子刻蚀。NIA是韩国政府的...
关键词：PEGASUS 刻蚀设备 韩国 安装 STS 深反应离子刻蚀 等离子体处理 技术系统 
聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
《微细加工技术》2008年第6期19-21,共3页王亚军 刘景全 沈修成 杨春生 郭中元 芮岳峰 
国家自然科学基金资助项目(60876082);上海市科委纳米专项基金资助项目(0852nm06600)
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适...
关键词：生物MEMS 微流体系统 反应离子刻蚀 ParyleneC 
基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1589-1594,共6页孙立宁 王家畴 荣伟彬 李欣昕 
国家杰出青年基金(批准号:50725518);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目~~
为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感...
关键词：微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部