高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究被引量：2
《中国集成电路》2023年第5期86-90,共5页吴勇 
氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究...
关键词：8英寸Si衬底 高电子迁移率晶体管 二维电子气 外延生长 
大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长被引量：1
《现代信息科技》2022年第16期58-61,共4页鲁德 戴一航 梁利彦 周昆楠 
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜。通过引入双层AlN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N超晶格和...
关键词：ALGAN/GAN异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 应力控制层 外延生长 
氮极性GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N高电子迁移率晶体管材料机理与器件特性分析
《真空科学与技术学报》2022年第2期151-158,共8页王现彬 高彦彦 周淑芬 
教育部产学合作协同育人项目(202002288020)。
晶格匹配的氮极性(N-polar)GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N异质结以其优异的材料与电特性受到了研究者的广泛关注。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,结合准二维模型,模拟计算了N-polar GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N高电子迁移率晶体管(HEMT)相...
关键词：氮极性 GaN/InAlN异质结 自洽求解 二维电子气 准二维模型 
具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT被引量：1
《半导体技术》2021年第9期694-700,共7页陈飞 冯全源 
国家自然科学基金重大项目(62090012);国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)。
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2DEG) 
碳基纳电子的新进展(续)
《微纳电子技术》2020年第12期949-962,共14页赵正平 
4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨...
关键词：二维电子气 高电子迁移率 外延石墨烯 混频器 MMIC 双极性 弹道输运 整流器 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射被引量：3
《物理学报》2020年第15期237-242,共6页张雪冰 刘乃漳 姚若河 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题.
AlGaN/GaN界面处的二维电子气迁移率是描述高电子迁移率晶体管特性的一个重要参数,极化光学声子散射是高温时限制二维电子气迁移率的主要散射机制.本文对极化光学声子散射进行计算,结果表明在二维电子气浓度为6×10^11-1×10^13 cm^–2...
关键词：二维电子气 极化光学声子散射 高温迁移率 光学声子能量 
GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）
《红外与毫米波学报》2018年第4期385-388,共4页崔晓然 吕红亮 李金伦 苏向斌 徐应强 牛智川 
Supported by the National Key Technologies R＆D Program(2016CBYFB0402403)
采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移...
关键词：二维电子气 迁移率 高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE) 
HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析被引量：1
《红外与毫米波学报》2017年第6期790-794,共5页李金伦 崔少辉 徐建星 袁野 苏向斌 倪海桥 牛智川 
科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ140005)~~
采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm^...
关键词：高电子迁移率晶体管 二维电子气 迁移率 太赫兹探测器 
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析被引量：4
《物理学报》2017年第16期239-245,共7页郭海君 段宝兴 袁嵩 谢慎隆 杨银堂 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900;2015CB351900);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006;61334002)资助的课题~~
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏...
关键词：高电子迁移率晶体管 电场调制 二维电子气 击穿电压 
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