高电子迁移率

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短沟道效应出现时InAlN/GaN HEMTs的内部电子分布
《科技风》2025年第11期43-46,共4页韩铁成 彭晓灿 
北华航天工业学院博士基金(BKY-2021-16)。
凭借二维器件仿真,从器件内部电子分布角度,直观且系统地展示了InAlN/GaN高电子迁移率晶体管直流特性上短沟道效应的发生。结果显示栅长(L_(G))缩短会减小栅极对栅下的电导率调控范围,同时由V_(DS)产生的源漏电场(E_(DS))一定程度上会...
关键词：InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs) 短沟道效应 直流特性 仿真 
AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄 张贺秋 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽 
分立GaN HEMT器件动态电阻测量系统设计
《电力电子技术》2025年第1期117-120,共4页文阳 石孟洁 杨媛 张冲 
西安市科技计划(22GXFW0076);陕西省教育厅专项科学研究计划(21JK0791)。
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高功率密度等应用领域得到广泛应用,然而GaN HEMT器件的导通电阻会随着应用工况发生改变(动态电阻现象),导致其在应用中导通损耗不能被准确评估。针对这一问题,本文设计了一种GaN HEMT器件...
关键词：高电子迁移率晶体管 动态电阻 导通电压测量 测量系统 
GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远 陈忠飞 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...
关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器 
微波GaN器件温度效应建模
《物理学报》2024年第17期240-247,共8页王帅 葛晨 徐祖银 成爱强 陈敦军 
国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.
通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 模型 直流特性 
一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2024年第4期289-294,共6页吴家旭 成建兵 孙旸 周成龙 姜圣杰 
国家自然科学基金资助项目(61274080)。
为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设...
关键词：高电子迁移率晶体管 静电放电 高泄放电流 沟槽 
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
《红外与毫米波学报》2024年第4期526-532,共7页康亚茹 董慧 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 
国家自然科学基金(61971395)。
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的...
关键词：氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管 
电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
《红外与毫米波学报》2024年第3期329-333,共5页封瑞泽 曹书睿 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 
The National Natural Science Foundation of China(61434006)。
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为126...
关键词：铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽 
一种提高氮化镓高压功率器件动态可靠性的快速筛选方法
《微电子学》2024年第3期503-510,共8页沈竞宇 范文琪 邱金朋 
国家自然科学基金资助项目(62174017)。
为了快速筛选出由电流崩塌、阈值漂移导致失效的氮化镓(GaN)器件,提出了一种基于晶圆测试的创新筛选方法,旨在更好地筛选出高可靠性的650 V增强型GaN功率器件,在封装之前消除固有缺陷导致的动态失效,解决实际应用中的动态可靠性问题。...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 可靠性 寿命 筛选方法 
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